| 主权项 |
1.一种制造具有一闸极之MOS装置的改良方法,在一第二传导型基板区形成一第一传导型的源区及汲区,其中该第二传导型的掺杂剂会被植入该基板,当该闸极长度缩短时,以增加该源区及汲区间之中间地带的第二传导型掺杂剂的掺杂浓度。2.如申请专利范围第1项所定义之方法,其中该植入系在角度为30或更大时产生。3.如申请专利范围第1项所定义之方法,其中该植入系由4个步骤产生,进行每个步骤时基板均需倾斜约30或更大的角度。4.一种制造具有标称(nominal)闸极长度ell的MOS装置的程序,其中某些装置的闸极长度小于ell,其改良处为:该闸极下方之通道被掺杂,并且与该闸极长度为ell之装置闸极下方之掺杂剂浓度相比,闸极长度小于ell之装置闸极下方之掺杂剂浓度较高。5.一种在第一传导型基级区形成电晶体的方法,包括以下步骤:形成与该基级区绝缘的闸极;及将该第一传导型的掺杂剂以约30或更大的角度植入该闸极下方的基级。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该被植入的第一传导型掺杂剂,包含以约15千伏或以上的能量植入之B11。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该被植入的第一传导型掺杂剂包含磷。8.如申请专利范围第5项之方法,其中该被植入的第一传导型掺杂剂包含砷。9.如申请专利范围第6项之方法,其中该闸极的长度约为0.25微米或更短。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该闸极的长度约为0.25微米或更短。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该闸极的长度约为0.25微米或更短。图式简单说明:第一图为先前技艺之n通道MOS电晶体的横切面正视图,以说明邻近源区及汲区的光晕植入物。第二图为根据本发明,所建立之n通道电晶体的横切面正视图。第三图显示本发明之井掺杂提升之处理步骤的横切面正视图。第四图为一座标图,显示先前技艺中光晕植入物、非光晕装置和本发明的提升通道,在闸极长度与门限电压座标图上之关系。第五图为一座标图,说明利用本发明于不同闸极长度的电晶体通道中之掺杂剂浓度。 |
