| 主权项 |
1.一种由散热板上形成BGA基板之方法,包括有下列步骤;a.准备一金属散热板;b.于该金属散热板之一第一侧表面上的预定位置处形成一置晶座,该置晶座的长宽尺寸至少不小于一晶片的长宽尺寸;c.于金属散热板具有置晶座之该侧表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层并不覆盖前述置晶座区域;d.于第一绝缘层上形成一第一电路层;以及e.于电路层上形成一非导电之锡球罩层,于该锡球罩层上并设有若干开孔状之焊垫座。2.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤a.与步骤b.之间更包括有下列步骤:a1.将金属散热板除了其第一侧表面之外的其它表面上均形成一薄氧化金属层。3.如申请专利范围第2项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤a1.中用以形成一薄氧化金属层的方式系为热氧化制程。4.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤c.之第一绝缘层上设有若干导电栓以连接第一电路层及金属散热板。5.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤d.与步骤e.之间更包括有下列步骤:d1.于第一电路层上形成一第二绝缘层,于第二绝缘层上并设有若干贯穿第二绝缘层之导电栓;d2.于第二绝缘层上形成一第二电路层,第二电路层可藉由导电栓耦合于第一电路层。6.如申请专利范围第5项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤d2.之第二绝缘层上设有若干贯穿于第二绝缘层、第一电路层、及第一绝缘层之导电栓以连接第二电路层及金属散热板。7.如申请专利范围第5项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,第二绝缘层近置晶座之内缘较第一电路层近置晶座之内缘尺寸略大,使得第一电路层近置晶座之最内缘至少有部份系未被第二绝缘层所覆盖;并且,锡球罩层系覆盖于第二电路层上,且锡球罩层近置晶座之内缘较第二电路层近置晶座之内缘尺寸略大,使得第二电路层近置晶座之最内缘至少有部份系未被锡球罩层所覆盖。8.如申请专利范围第7项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤e.之后更包括有下列步骤:f.于该焊垫座、第一电路层近置晶座之最内缘未被第二绝缘层覆盖之区域、及第二电路层近置晶座之最内缘未被锡球罩层覆盖之区域形成焊垫。9.如申请专利范围第8项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,用以形成焊垫的方法系为将镍、金或其合金以电镀的方式形成于焊垫之位置上。10.如申请专利范围第8项所述之由散热板上形成BCA基板之方法,其中,焊垫的材料可为镍、金、锡、铅、或其合金。11.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,该金属散热板的材质系为铝、铜、金、铬、钛、或铁。12.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,形成该置晶座的方法系藉由蚀刻于金属散热板上形成该内凹之置晶座区域。13.如申请专利范围第1项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于同一片金属散热板上可同时进行若干个BGA基板单元的制程,于制程完成后再加以切割成为一个个单独之BGA基板成品,而为一批量制造之方式。14.一种由散热板上形成BGA基板之方法,该BGA基板包括有:至少一第一绝缘层、一第一电路层及一锡球罩层;该由散热板上形成BGA基板之方法之特征在于:该BGA基板之该第一绝缘层、第一电路层及锡球罩层系依序直接形成于该散热板上而与散热板为一体之结构,而不是先将BGA基板之第一绝缘层、第一电路层及锡球罩层先结合后再黏贴于散热板上。15.如申请专利范围第14项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中将第一绝缘层、第一电路层及锡球罩层依序形成于散热板上的步骤包括有:a.准备一金属散热板;b.于该金属散热板之一第一侧表面上的预定位置处形成一置晶座,该置晶座的长宽尺寸至少不小于一晶片的长宽尺寸;c.于金属散热板具有置晶座之该侧表面上形成一第一绝缘层,该第一绝缘层并不覆盖前述置晶座区域;d.于第一绝缘层上形成一第一电路层;以及e.于电路层上形成一非导电之锡球罩层,于该锡球罩层上并设有若干开孔状之焊垫座。16.如申请专利范围第15项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤a.与步骤b.之间更包括有下列步骤:a1.将金属散热板除了其第一侧表面之外的其它表面上均以热氧化的方式形成一薄氧化金属层。17.如申请专利范围第15项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤c.之第一绝缘层上设有若干导电栓以连接第一电路层及金属散热板。18.如申请专利范围第15项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤d.与步骤e.之间更包括有下列步骤:d1.于第一电路层上形成一第二绝缘层,于第二绝缘层上并设有若干贯穿第二绝缘层之导电栓;d2.于第二绝缘层上形成一第二电路层,第二电路层可藉由导电栓耦合于第一电路层。19.如申请专利范围第18项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,第二绝缘层近置晶座之内缘较第一电路层近置晶座之内缘尺寸略大,使得第一电路层近置晶座之最内缘至少有部份系未被第二绝缘层所覆盖;并且,锡球罩层系覆盖于第二电路层上,且锡球罩层近置晶座之内缘较第二电路层近置晶座之内缘尺寸略大,使得第二电路层近置晶座之最内缘至少有部份系未被锡球罩层所覆盖。20.如申请专利范围第19项所述之由散热板上形成BGA基板之方法,其中,于步骤e.之后更包括有下列步骤:f.于该焊垫座、第一电路层近置晶座之最内缘未被第二绝缘层覆盖之区域、及第二电路层近置晶座之最内缘未被锡球罩层覆盖之区域形成焊垫。图式简单说明:第一图系习用之BGA封装元件。第二图系习用之Enhanced BGA封装元件。第三图A-第三图J系本发明之由散热板上形成BGA基板之方法步骤。第四图A-第四图D系本发明之BGA基板之后序的封装步骤。 |
