| 主权项 |
1.一种可暴露于一腐蚀性气体的一烧结陶瓷元件, 该烧结陶瓷元件的一表面已经过机械加工 ,其中: 暴露于该陶瓷元件的该加工表面之每一晶粒具有 一加工表面;以及 藉由材料传递使每一该晶粒的该加工表面的一边 缘呈现圆形。2.如申请专利范围第1项所述之元件, 其中该陶瓷元件系由含铝的一陶瓷材料所制成的 一烧 结坯体,且该腐蚀性气体系为以卤素为主的一腐蚀 性气体。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之元 件,其中暴露于该机械加工坯体的该加工表面,而 形成的每一该晶粒之该加工表面的一边缘,其弯曲 半径约不小于0.1m。4.如申请专利范围第1项或第 2项所述之元件,其中该机械加工坯体之该加工表 面的一平均表 面粗糙度(Ra)约不大于1m,且该机械加工坯体之该 加工表面的一粗糙度曲线的一中央线深 度(Rp)约不大于1.5m。5.一种可暴露于腐蚀性气体 之烧结陶瓷元件的制造方法,其步骤包括: 至少藉由研磨一陶瓷烧结坯体的一表面,而获得具 有一固定形状的一机械加工坯体;以及 使该机械加工坯体进行一回火。6.如申请专利范 围第5项所述之方法,其中复数个陶瓷晶粒的加工 表面系暴露于该机械加工 坯体的一加工表面,且该些晶粒之复数个加工表面 的复数个边缘系藉由该回火而使其呈现圆 形。7.如申请专利范围第5项或第6项所述之方法, 其中该机械加工坯体的该加工表面系藉由研磨 该陶瓷烧结坯体而形成,且该机械加工坯体不需经 由该机械加工坯体之该加工表面的镜面抛 光而进行回火。8.如申请专利范围第5项或第6项所 述之方法,其中该陶瓷元件系由含铝的一陶瓷材料 所制成 的一烧结坯体,且该腐蚀性气体系为以卤素为主的 一腐蚀性气体。9.如申请专利范围第8项所述之方 法,其中该回火的一温度不高于T0且不低于T0-300℃, 而 T0系为该烧结坯体的一烧结温度。10.如申请专利 范围第3项所述之元件,其中该机械加工坯体之该 加工表面的一平均表面粗糙 度(Ra)约不大于1m,且该机械加工坯体之该加工表 面的一粗糙度曲线的一中央线深度(Rp) 约不大于1.5m。11.如申请专利范围第7项所述之 方法,其中该陶瓷元件系由含铝的一陶瓷材料所制 成的一烧 结坯体,且该腐蚀性气体系为以卤素为主的一腐蚀 性气体。图式简单说明: 第一图系重矾土元件的加工表面,在暴露于以卤素 为主的腐蚀性气体之前的电子显微图 片; 第二图系第一图中重矾土元件的加工表面,在暴露 于以卤素为主的腐蚀性气体之后的电 子显微图片; 第三图系第一图中重矾土元件的加工表面,在约 1500℃回火之后的电子显微图片; 第四图系第三图中重矾土元件的加工表面,在热暴 露(thermally exposed)于以卤素为 主的腐蚀性气体之后的电子显微图片; 第五图系第一图中重矾土元件的加工表面,在约 1300℃回火之后的电子显微镜图片; 第六图系绘示当一烧结坯体3的一表面2在使用一 旋转研磨石(rotary ginding stone)进 行研磨时,在加工表面4处之微裂缝(microcracks)和微 粒产生过程的示意图;以及 第七图a与第七图b系绘示在暴露于卤素为主的腐 蚀性气体之后,研磨表面4的状态示意 图。 |
