| 发明名称 |
METHOD FOR INTRODUCING PLATED-THROUGH HOLES IN AN ELECTRICALLY INSULATING BASE MATERIAL THAT IS PROVIDED WITH METAL LAYERS ON BOTH SIDES |
| 摘要 |
<p>Ein auf mindestens eine Metallschicht (2) aufgebrachtes Ätzresist (3) wird mittels elektromagnetischer Strahlung (S) derart strukturiert, dass die Metallschicht (2) dann durch Ätzen mit dem Lochmuster der späteren Durchkontaktierungslöcher versehen werden kann. Das Einbringen der Durchkontaktierungslöcher in das Basismaterial (1) erfolgt dann vorzugsweise mit Hilfe eines Laserstrahls.</p> |
| 申请公布号 |
WO0056129(A1) |
申请公布日期 |
2000.09.21 |
| 申请号 |
WO2000DE00813 |
申请日期 |
2000.03.16 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;HEERMAN, MARCEL |
发明人 |
HEERMAN, MARCEL |
| 分类号 |
B23K26/386;B23K101/42;H05K3/00;H05K3/02;H05K3/06;H05K3/42;(IPC1-7):H05K3/00 |
主分类号 |
B23K26/386 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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