| 发明名称 | 具有预定的α碳化硅区的半导体结构及此半导体结构的应用 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体结构(HS),它包括至少一个α碳化硅区(3、10、11)和一个例如为氧化层的电绝缘区(13a)以及一个在它们之间的界面(20)。通过为至少一个邻近界面的区选择一种能带宽度比6H碳化硅多型的能带宽度小的α碳化硅多型,提高了在此区内载流子的迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN1267397A | 申请公布日期 | 2000.09.20 |
| 申请号 | CN98808324.8 | 申请日期 | 1998.04.01 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 莱因霍尔德·肖纳;迪特里希·斯蒂法妮;德萨德·彼得斯;彼得·弗里德里克斯 |
| 分类号 | H01L29/24;H01L29/78;H01L29/739 | 主分类号 | H01L29/24 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 侯宇 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，它包含一个在预定的α碳化硅多型区与电绝缘区之间的界面，其中，在碳化硅区内界面处的电导率可通过感应电荷而加以改变，其特征在于：碳化硅区(3、10、11)采用与4H和6H碳化硅多型不同的α碳化硅多型，它的能带宽度最多等于6H碳化硅多型的能带宽度。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||