发明名称 | 将金属氟氧化物转化为超导氧化物的受控转化 | ||
摘要 | 一种氧化物超导体产品,其具有一层设置在基底上的氧化物超导体薄膜,其厚度大于0.5微米,该产品在77k、零磁场下具有大于或者等于10<SUP>5</SUP>A/cm<SUP>2</SUP>的临界电流密度(Jc)。该氧化物超导体薄膜的特征在于其具有高的临界电流密度和高体积百分比的c-轴取向氧化物晶粒,甚至可达到1微米。该氧化物超导体产品通过提供金属氟氧化物薄膜来制备,所述金属氟氧化物薄膜包括基本上按照化学计量比例的一种氧化物超导体的组份金属元素;并将金属氟氧化物转换为氧化物超导体,其转换速率通过调节从下述反应参数中选择出来的参数而予以选择,该参数包括温度、P<SUB>H2O</SUB>、P<SUB>O2</SUB>、时间以及其结合,以便得到在77K、零磁场下具有大于或者等于大约10<SUP>5</SUP>A/cm<SUP>2</SUP>的临界电流密度的氧化物超导体薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1267398A | 申请公布日期 | 2000.09.20 |
申请号 | CN98808231.4 | 申请日期 | 1998.06.17 |
申请人 | 麻省理工学院 | 发明人 | 约翰A·史密斯;迈克尔J·奇马;内维尔·索南伯 |
分类号 | H01L39/24 | 主分类号 | H01L39/24 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 方挺;余朦 |
主权项 | 1.一种制备氧化物超导薄膜的方法,包括:在基底上形成金属氟氧化物薄膜,所述金属氟氧化物薄膜的厚度大于或者等于0.5μm,并包括基本上按照化学计量比例的一种氧化物超导体的组份金属元素;将所述金属氟氧化物转化为氧化物超导体,其转化的速度是通过调节从下述各反应参数中选择出来的参数来加以控制的,所述参数包括温度、PH2O以及它们的结合,从而获得一种氧化物超导薄膜,该氧化物超导薄膜在77K、零磁场下具有大于或者等于大约105A/cm2的临界电流密度。 | ||
地址 | 美国马萨诸塞州 |