晶片键合的铝镓铟氮结构

摘要

利用晶片键合或金属焊接技术可以制备具有垂直光学路径,例如垂直腔面发射激光器或谐振腔光发射或探测器件,并具有高质量反射镜的光发射器件。光发射区域介于一个或两个包含介质分布式布拉格反射器(DBR)的反射器叠层之间。介质DBR可以淀积或粘合在光发射器件上。GaP、GaAs、InP或Si材料的主衬底粘合到其中的一个介质DBR。电接触添加到光发射器件。

主权项

1.一种器件，包括：衬底；包含n型层、p型层和有源层、且紧邻衬底的AlxGayInzN结构(18)；第一反射镜叠层(14)，位于衬底和AlxGayInzN结构的底面之间；晶片键合界面(16)，位于第一反射镜叠层和在衬底与AlxGayInzN结构中选择的一个之间，具有键合温度；和p型接触和n型接触(22a，22b)，p型接触与p型层电连接，n型接触与n型层电连接。