| 发明名称 |
Sense amplifier comprising field effect transistor with short channel length and adjustable threshold voltage |
| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine Leseverstärkeranordnung mit einem Feldeffekttransistor mit kurzer Kanallänge (LDesign). Der Feldeffekttransistor liegt in einer isolierten Wanne (9), deren Potential steuerbar ist, so daß mit Hilfe des Substratsteuereffektes Abweichungen der Einsatzspannung ausgeglichen werden können. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1037273(A2) |
申请公布日期 |
2000.09.20 |
| 申请号 |
EP20000104265 |
申请日期 |
2000.03.01 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
SCHNEIDER, HELMUT;LINDOLF, JUERGEN, DR.;BORST, THOMAS;RUCKERBAUER, HERMANN |
| 分类号 |
H01L21/761;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/10;H01L29/78;H03F3/16;(IPC1-7):H01L21/761;H01L27/02 |
主分类号 |
H01L21/761 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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