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"PROCESSO PARA DESENVOLVER UMA PELìCULA DE DIAMANTE, E, APARELHOS PARA DESENVOLVER REVESTIMENTOS DE PELìCULA DE DIAMANTE E PARA DEPOSITAR REVESTIMENTOS DE DIAMANTE" Um processo para nucleação e crescimento de diamante por deposição de plasma de CC de filamento quente. O aparelho utiliza um agrupamento de filamentos resistivamente aquecidos, para dissociar hidrogênio do gás reagente. Para crescimento de diamante de dois lados, configurações de substrato-filamento quente-grade-filamento quente-substrato ou substrato-filamento quente-filamento quente-substrato são usadas. Para a última configuração, dois agrupamentos independentes de filamentos servem como tanto filamento quente como grade, e plasma de CA ou CC é mantido entre os dois agrupamentos de filamento. Para esta e a outra configurações de eletrodos, o eletrodo de grade é positivamente polarizado com respeito aos filamentos quentes, para manter um plasma. O gradiente de potencial de plasma através da grade e o filamento-quente extraem íons do plasma para os filamentos. Para aumentar mais as taxas de deposição, o agrupamento de filamentos é polarizado negativamente com respeito ao suporte de substrato, de modo que um plasma CC é também mantido entre o substrato e o agrupamento de filamentos. Durante a nucleação, o filamento adjacente ao suporte de substrato é polarizado positivamente em relação ao substrato, de modo que mais íons são acelerados para o substrato, o que, por sua vez, aumenta o fluxo de precursores de crescimento para o substrato, resultando em uma elevada densidade de nucleação do diamante sobre o substrato, sem mecessidade de raspagem ou semeação-de-diamante. Este processo de nucleação simplifica o processo de crescimento e fornece um meio conveniente e económico para crescimento heteroepitaxial de núcleos de diamantes sobre substratos de monocristal como Si (100). |
