发明名称 PLASMA ETCHING PROCESS CHAMBER USE IN MANUFACTURE SEMICONDUCTOR
摘要
申请公布号 KR200197642(Y1) 申请公布日期 2000.09.15
申请号 KR20000004250U 申请日期 2000.02.17
申请人 ANAM SEMICONDUCTOR., LTD. 发明人 CHOI, JIN SIK
分类号 H01L21/3065;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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