DEVICE AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES

摘要

Um vor und/oder während einer Behandlung eines Substrats unterhalb eines Substrats eingeschlossene Gasblasen auszuspülen, ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einem eine Behälterwand aufweisenden Prozessbehälter und einem über dem Prozessbehälter bewegbar angeordneten Substrathalter, vorgesehen, bei dem ein zum Substrat weisender Rand der Behälterwand einen sich nach aussen erweiternden Innenumfang aufweist. Über diesen Rand wird Behandlungsfluid zu einem Aussenbereich des Substrats hin gerichtet. Bei einer Vorrichtung zum Behandeln von Substraten mit einem mit Behandlungsfluid befüllbaren Behälter, einem den Behälter umgebenden Überlauf und einem Substrathalter zum Positionieren eines Substrats oberhalb des Behälters, ist durch eine Steuereinrichtung zum Steuern eines Behandlungsfluid-Niveaus im Überlauf in Abhängigkeit vom Abstand des Substrathalters vom Behälter eine gleichmässigere Behandlung der Substrate möglich.