| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Charakterisierung elektronischer Eigenschaften eines Halbleiterelements, insbesondere der Dotierkonzentration, Dotierstoffverteilung und/oder Ladungsträgerlebensdauer, wobei das Halbleiterelement fotografisch durch eine Infrarotkamera bildgebend im Durchlichtverfarhen untersucht wird und dabei die Extinktion der auf das Halbleiterelement einfallenden Infrarotstrahlung erfasst und ausgewertet wird.</p> |
