| 摘要 |
<p>La présente invention concerne un matériau de conversion thermoélectrique à base de Si et un élément de conversion thermoélectrique dans lesquels, sans abaisser le coefficient Seebeck et la conductivité électrique de ce matériau, il est possible de baisser considérablement sa conductivité thermique permettant ainsi d'obtenir une importante amélioration de l'indice de performance. On forme une structure cristalline, en fait polycristalline, de grains cristallins à phase en Si riche et aussi à phase riche en éléments ajoutés qui ont précipité dans les joints de grain. Cette structure présente un coefficient Seebeck très élevé et une faible conductivité thermique ce qui permet d'augmenter de manière importante le rendement de conversion thermoélectrique. L'invention permet ainsi d'obtenir un matériau de conversion thermoélectrique constitué principalement de Si, élément naturellement abondant, et de réduire la pollution environnementale. Par exemple, l'addition de C, Ge ou Sn au matériau de conversion thermoélectrique à base de Si permet de réduire de manière importante la conductivité thermique sans changement de la concentration en porteur dans le matériau. La baisse de la conductivité thermique s'obtient avec une quantité optimale d'addition de 5-10 atomes pour cent. Le matériau présente une structure dans laquelle les éléments du groupe IV et les éléments d'addition ajoutés afin de préparer des semi-conducteurs de type p ou n précipitent dans les joints de grains du Si polycristallin. Les semi-conducteurs de type p ou n ainsi obtenus possèdent une concentration en porteur de 10?17-1021 (M/m3¿) et une conductivité thermique inférieure ou égale à 50 W/m•K.</p> |
