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Die Erfindung betrifft einen Thyristor mit einer ersten Zone (1), einer zweiten Zone (2), einer dritten Zone (3), einer vierten Zone (4), wobei mindestens eine Steuerelektrode (7) mit der zweiten (2) und/oder dritten (3) Zone verbunden ist, sowie ein Herstellungsverfahren dafür. DOLLAR A Um bei einem symmetrischen Thyristor die statische und dynamische Verlustleistung zu reduzieren, wird vorgeschlagen, daß eine Feldstoppzone (8) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp annähernd in der Mitte der zweiten Zone (2) angeordnet wird, so daß sie die zweite Zone (2) in zwei im wesentlichen gleich große Abschnitte unterteilt. Dazu wird eine Feldstoppschicht (8) auf einer inneren Oberfläche (12) eines ersten Wafers (9) oder eines zweiten Wafers (10) erzeugt, und der erste Wafer (9) wird mit dem zweiten Wafer (10) verbunden, so daß die beiden inneren Oberflächen (12) der beiden Wafer (9, 10) aufeinander liegen.
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