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发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Substrates von SOI-Type mit einer monokristallinen Schicht aus Silizium auf einer isolierenden Schicht
摘要
申请公布号 DE69231321(D1) 申请公布日期 2000.09.14
申请号 DE19926031321 申请日期 1992.03.26
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP., TOKIO/TOKYO;MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 NAKAI, TETSUYA;SHINYASHIKI, HIROSHI;YAMAGUCHI, YASUO;NISHIMURA, TADASHI
分类号 H01L21/20;H01L21/02;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/324;H01L21/76;H01L21/762;H01L27/00;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
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