用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法

摘要

一种形成金属布线的方法，它包括以下步骤：在绝缘薄膜上形成相应于其后将形成的诸金属布线的导电图形，对获得的结构表面进行等离子体处理，用ＳｉＨ₄-N₂O混合气体，形成含过量Ｓｉ原子的折射率为１．４７或以上的氧化薄膜，以及在氧化薄膜上形成O₃－ＴＥＯＳ薄膜。依据此方法，可防止在绝缘层中形成空位，以及绝缘层质量的下降，而同时实现优良的再生率和改进的生产率和可靠性。

主权项

1.一种用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：在半导体衬底上形成绝缘薄膜；在所述绝缘薄膜上形成诸金属布线；用气体等离子体处理所述诸金属布线；在经所述等离子体处理后获得的结构的整个暴露表面形成含过量硅的氧化薄膜；以及在所述氧化薄膜上形成O3-正硅酸四乙酯薄膜。