形成CMOS器件的双金属栅结构的方法

摘要

在半导体衬底上形成分别具有第一和第二栅极的第一和第二晶体管的方法,包括:形成绝缘地置于半导体衬底上的有一功函数的导电材料;转换导电材料的一部分从而改变其功函数,导电材料和被转换的导电材料分别形成第一和第二栅极。第一和第二晶体管分别为NMOS和PMOS器件,第一和第二晶体管形成CMOS器件。导电材料包括Ta、Mo、Ti及其任意组合。转换步骤包括使导电材料的这部分经受包括含氮气体的等离子体。

主权项

1.一种在半导体衬底上形成具有第一栅极的第一晶体管和具有第二栅极的第二晶体管的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：形成绝缘地置于所述半导体衬底的第一部分上的第一导电材料，所述第一导电材料具有第一功函数；形成绝缘地置于所述半导体衬底的第二部分上的第二导电材料，所述第二导电材料包括所述第一导电材料但具有不同于所述第一功函数的第二功函数；其中所述第一导电材料用于形成所述第一栅极，而所述第二导电材料用于形成所述第二栅极。