发明名称 气敏器件及其制造方法
摘要 一种薄膜气敏器件及其制造方法,它包括硅衬底;在硅衬底表面上形成的绝缘层;在绝缘层表面上形成的折线形加热器;在绝缘层表面上形成的与加热器平行的折线形温度敏感元件,为了使加热器和温度敏感元件电绝缘,在绝缘层上形成的层间绝缘层;在加热器和温度敏感元件之间的层间绝缘层上形成的多个电极;在电极上以阵列形式设置的多个气敏层对,用来对被检测气体反应;在属于气敏层对的一个气敏层上形成的多个气屏蔽层,以屏蔽被检测气体,使该气敏层不对被检测气体反应。
申请公布号 CN1056447C 申请公布日期 2000.09.13
申请号 CN94119636.4 申请日期 1994.11.11
申请人 金星电子株式会社 发明人 朴炫洙;李圭晶;权哲汉;尹童铉;申铉雨;洪炯基
分类号 G01N27/12;H01L49/00 主分类号 G01N27/12
代理机构 柳沈知识产权律师事务所 代理人 范明娥
主权项 1、一种薄膜气敏器件,包括:一个硅衬底;在所说硅衬底的表面上形成的绝缘层;在所说绝缘层的表面上形成的折线形加热器;在所说绝缘层表面上,平行于所说加热器形成的折线形温度敏感元件;在所说绝缘层上形成的、使所说加热器和温度敏感元件电绝缘的层间绝缘层;在所说加热器和温度敏感元件之间的所说层间绝缘层上,形成的多个电极;在所说电极上以阵列形式设置的多个气敏层对,用以对被检测气体反应;以及在所说气敏层对之中的一个气敏层上形成的多个气屏蔽层,用以屏蔽所说的被检测气体,使所说气敏层不对所说被检测气体反应。
地址 韩国忠清北道
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