发明名称 | 标准片的制备方法 | ||
摘要 | 一种硅晶片的标准片(Golden Wafer)制备方法,尤指一种利用在标准片上沉积高品质阻挡膜四氮化三硅膜或氮化硅膜等的方法为手段,其目的在维持标准片上的硼磷硅酸盐玻璃或磷酸盐玻璃等绝缘层的杂质浓度稳定性,利用沉积阻挡膜的方法制作出的硅晶片的标准片,可以不必储存在氮气箱内即可维持标准片上BPSG或PSG绝缘层的杂质浓度稳定性,不会随时间杂质浓度下降。 | ||
申请公布号 | CN1056467C | 申请公布日期 | 2000.09.13 |
申请号 | CN96102418.6 | 申请日期 | 1996.02.17 |
申请人 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 发明人 | 陈光钊;涂玉堂 |
分类号 | H01L21/22 | 主分类号 | H01L21/22 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
主权项 | 1、一种利用阻挡膜制备标准片的方法,其步骤如下:(a)提供一硅晶片;(b)利用化学气相沉积法在所提供的硅晶片上沉积一硼磷硅酸盐玻璃膜或一磷硅酸盐玻璃膜;其特征在于:最后在硼磷硅酸盐玻璃或磷硅酸盐玻璃薄膜上,沉积一层氮化硅阻挡膜。 | ||
地址 | 中国台湾 |