发明名称 |
半导体元件互连器件及其制造方法 |
摘要 |
一种制造半导体元件互连器件的方法,该器件连接在半导体衬底上形成的各杂质扩散区,每一杂质扩散区有不同的电导电率。该方法包括,在半导体衬底上形成第1导电类型的阱和第2导电类型的阱,在第2导电类型阱形成不相互接触的第1导电类型杂质扩散区,在第1导电类型阱形成不相互接触的第2导电类型杂质扩散区,在最终结构上面形成绝缘膜,选择地除掉绝缘膜,由此,形成露出第1和第2导电类型的杂质扩散区的接触孔,在最终结构上形成半导体层,在半导体层上面形成硅化物膜,退火最终结构,由此,把第1和第2导电类型杂质扩散区的杂质离子扩散到半导体层中。 |
申请公布号 |
CN1056473C |
申请公布日期 |
2000.09.13 |
申请号 |
CN96107262.8 |
申请日期 |
1996.03.29 |
申请人 |
现代电子产业株式会社 |
发明人 |
金载甲 |
分类号 |
H01L23/52;H01L21/768;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L23/52 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种半导体元件互连器件,连接在半导体衬底上形成的杂质扩散区,各杂质扩散区有不同的导电率,该器件包括:在半导体衬底上形成的第1导电类型的阱和第2导电类型的阱,第1导电类型的阱有第2导电类型的杂质扩散区,而第2导电类型的阱有第1导电类型的杂质扩散区;在半导体衬底上形成绝缘膜,绝缘膜限定接触孔,分别露出第1和第2导电类型杂质扩散区;第1杂质扩散半导体层和第2杂质扩散半导体层分别形成在各自接触孔底部露出的第1和第2导电类型的杂质扩散区;在第1和第2杂质扩散半导体层上形成硅化物膜,并且相互连接它们。 |
地址 |
韩国京畿道 |