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[57] 申请专利范围:1.一种热电转换器元件用之烧结材料的制法,其系要用于Bi-Te-Sb型热电转换器元件,此方法包括的步骤有:将至少含有铋(Bi)的粉末、至少含有碲(Te)的粉末和至少含有锑(Sb)的粉末,放入一防止大气之密封状况下的罐中;使用有机溶剂做为分散介质,湿磨并混合之;于惰性气体气氛中乾燥之;接着使用热压法,于温度100到250℃的真空中预热混合且研磨过的粉末;然后于温度420到500℃的惰性气体气氛中烧结之。2.根据申请专利范围第1项的热电转换器元件用之烧结材料的制法,其中至少含有Bi的粉末是Bi基单元素粉末,至少含有Te的粉末是Te基单元素粉末,至少含有Sb的粉末是Sb基单元素粉末。3.一种热电转换器元件用之烧结材料的制法,其系要用于Bi-Te-Se型热电转换器元件,此方法包括的步骤有:将至少含有铋(Bi)的粉末、至少含有碲(Te)的粉末和至少含有硒(Se)的粉末,放入一防止大气之密封状况下的罐中;使用有机溶剂做为分散介质,湿磨并混合之;于惰性气体气氛中乾燥之;接着使用热压法,于温度100到250℃的真空中预热混合且研磨过的粉末;然后于温度420到520℃的惰性气体气氛中烧结之。4.根据申请专利范围第3项的热电转换器元件用之烧结材料的制法,其中至少含有Bi的粉末是Bi基单元素粉末,至少含有Te的粉末是Te基单元素粉末,至少含有Se的粉末是Se基单元素粉末。5.根据申请专利范围第3或4项的热电转换器元件用之烧结材料的制法,其中SbI3做为掺杂物,添加于至少含有Bi的粉末、至少含有Te的粉末和至少含有Se的粉末。6.根据申请专利范围第5项的热电转换器元件用之烧结材料的制法,其中相对于至少含有Bi的粉末、至少含有Te的粉末和至少含有Se的粉末之总量而言,添加大于0重量%而至多达0.2重量%的SbI3。7.一种热电转换器元件用的烧结材料,系要用于Bi-Te-Sb型热电转换器元件,其由以(Bi2Te3)x(Sb2Te3)1-x表示之组成的金属间化合物所组成,其中x値的范围从0.15到0.25。8.一种热电转换器元件用的烧结材料,系要用于Bi-Te-Se型热电转换器元件,其由以(Bi2Te3)1-x(Bi2Se3),表示之组成的金属间化合物所组成,其中x値的范围从0到0.1。9.根据申请专利范围第7项之热电转换器元件用的烧结材料,其中烧结材料的晶粒大小为1.0至15m。10.根据申请专利范围第8项之热电转换器元件用的烧结材料,其中烧结材料的晶粒大小为0.1至10m。11.根据申请专利范围第7项之热电转换器元件用的烧结材料,其中烧结材料含有0.25至1.0体积%的氧。12.根据申请专利范围第8项之热电转换器元件用的烧结材料,其中烧结材料含有0.1至0.6体积%的氧。13.根据申请专利范围第7至12项任一项之热电转换器元件用的烧结材料,其中烧结材料的压缩强度大于或等于10kgf/mm2。14.一种使用根据申请专利范围第7至13项任一项之热电转换器元件用的烧结材料所做成的热电转换器元件。图式简单说明:第一图为显示一冷却模组和获得冷却模组之冷却效能的评估方式之示意图。第二图为显示冷却模组之冷却效能的图形。 |
