发明名称 具有被电绝缘带黏附合的晶粒之半导体元件,用于晶粒黏合的方法与装置
摘要 本发明系关于一种具有被电绝缘带黏附黏合的晶粒之半导体元件,用于晶粒黏合的方法与装置。半导体装置包括依设计尺寸具有导电性的基板,以导电性黏着剂与基板黏合的第一晶粒,及至少一藉由绝缘黏附带与基板黏合的第二晶粒。因为本发明的半导体装置使用绝缘黏附带以黏合晶粒,所以可确定其绝缘性质及可靠性。制备具有以导电性黏着剂黏合之第一晶粒及黏合第二晶粒用之黏附区域的基板,制备绝缘黏附带,将绝缘黏附带黏于基板的黏附区域,制备第二晶粒,将第二晶粒黏于绝缘黏附带,并将基板取下。制备具有第一经黏附黏合之晶粒的基板并切掉缠绕出卷盘的绝缘黏附带以得到设计的尺寸。取带器工具系将绝缘黏附带黏到基板,而晶粒拾取工具则将第二晶粒黏到基板的绝缘黏附带。较佳地,绝缘黏附带具有超过大约2,500伏的介电强度,而黏着绝缘黏附带的步骤或黏着第二晶粒的步骤系以施加大约150℃到大约500℃之热及大约100克/平方毫米到大约600克/平方毫米之压力的方式进行。
申请公布号 TW405238 申请公布日期 2000.09.11
申请号 TW088101992 申请日期 1999.02.09
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 南时;金东局
分类号 H01L23/495 主分类号 H01L23/495
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体装置,其包括:具导电性之设计尺寸的基板;以导电性黏着剂与基板黏合的第一晶粒;及至少一以绝缘黏附带与基板黏合的第二晶粒。2.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中绝缘黏附带包括具有上表面及下表面并由聚亚醯胺做成的中央层,及分别形成于中央层上表面及下表面之上并由聚亚醯胺做成的黏着层。3.根据申请专利范围第2项之半导体装置,其中中央层的厚度为大约20微米到大约60微米而黏着层的厚度为大约10微米到大约30微米。4.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中绝缘黏附带具有大约2,500伏的介电强度。5.根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中其中基板为导线架,第一晶粒为晶体管晶片,而第二晶粒为控制晶片。6.一种半导体装置的晶粒黏合方法,其包括下列步骤:制备具有以导电性黏着剂黏合之第一晶粒及黏合第二晶粒用之黏附区域的基板;制备绝缘黏附带;将绝缘黏附带黏于基板的黏附区域;制备第二晶粒;将第二晶粒黏于绝缘黏附带;及将基板取下。7.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中制备绝缘黏附带的步骤包括下列次步骤:将绝缘黏附带缠绕出卷盘;及将系缠绕出卷盘的绝缘黏附带切掉,使得其尺寸大小与第二晶粒一致。8.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中黏着绝缘黏附带的步骤包括下列次步骤:取出绝缘黏附带并将绝缘黏附带放到基板处;及将绝缘黏附带黏到基板上。9.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中黏着绝缘黏附带的步骤系以施加大约150℃到大约500℃的热予基板的方式进行。10.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中黏着绝缘黏附带的步骤系以施加大约100克/平方毫米到大约600克/平方毫米的压力予绝缘黏附带的方式进行。11.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中黏合第二晶粒的步骤系以施加大约150℃到大约500℃的热予基板的方式进行。12.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其中黏着第二晶粒的步骤系以施加大约100克/平方毫米到大约600克/平方毫米的压力予第二晶粒的方式进行。13.根据申请专利范围第6项之半导体装置的晶粒黏合方法,其进一步包括在黏合第二晶粒后对第二晶粒加压的步骤。14.一种半导体装置的晶粒黏合设备,其包括:装载具有以导电性黏着剂黏合之第一晶粒及黏合第二晶粒用之黏附区域的基板所用的堆叠器;其尾端非常靠近堆叠器并以某距离转移基板的转移部;提供将第二晶粒黏合基板所用之绝缘黏附带的供带器;位于供带器与转移部之间并将供带器提供之绝缘黏附带黏到基板黏附区域的拾取工具;接收具数个地按晶粒之晶圆的晶圆制桌;及位于晶圆制桌及转移部之间使第二晶粒在晶圆制桌上与晶圆分离并将第二晶粒黏到基板之绝缘黏附带的晶粒拾取工具。15.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中堆叠器为导线架条的自动储送装置。16.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中供带器包括被绝缘黏附带缠绕的卷盘。17.根据申请专利范围第16项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中卷盘的宽度系由绝缘黏附带的宽度改变。18.根据申请专利范围第16项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中供带器进一步包括用来切掉缠绕出卷盘之绝缘黏附带以使得其尺寸大小与第二晶粒一致的切带器。19.根据申请专利范围第18项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中供带器进一步包括将绝缘黏附带置于切带器的滚筒。20.根据申请专利范围第18项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中供带器进一步包括藉由吸住其下表面之方式保持被切带器切掉之绝缘黏附带的吸带器。21.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中晶粒拾取工具系将藉由吸住其上表面的方式将绝缘黏附带移入基板并以黏附方式将绝缘黏附带黏到基板的黏附区域。22.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其中晶粒拾取工具系将藉由吸住其上表面的方式将第二晶粒移入基板并以黏附方式将第二晶粒黏到基板的黏附区域。23.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其进一步包括非常靠近转移部之另一端并取下具有第二晶粒黏附黏合之基板的卸载器。24.根据申请专利范围第14项之半导体装置的晶粒黏合设备,其进一步包括位于晶粒拾取工具及卸载器之间并对黏附黏合于基板之第二晶粒施压的加压器。图式简单说明:第一图系为传统半导体装置的剖面视图;第二图系为本发明具有以电绝缘带黏附黏合之晶粒的半导体装置的剖面视图;第三图系为显示本发明晶粒黏合方法的流程图;第四图系为说明本发明晶粒黏合装置的立体视图;第五图A到第五图D显示将绝缘黏附带切割及黏着到基板的各步骤;第五图A系为在绝缘黏附带上对准切带器之步骤的剖面图;第五图B系为说明以切带器切割绝缘黏附带之步骤的剖面图;第五图C系为说明吸住以取带器工具切割绝缘黏附带之上表面的步骤的剖面图;及第五图D系为说明将绝缘黏附带黏到导线架60之步骤的剖面图。
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