| 主权项 |
1.一种以金属-有机化学气相沈积法来生长氮化III-V族化合物半导体的方法,包括:在反应管内生长该氮化III-V族化合物半导体,反应管内的压力値设定在不低于1.1大气压。2.如申请专利范围第1项生长氮化III一V族化合物半导体的方法,其中反应管的内部压力値设定在不低于1.1大气压,但不高于2大气压。3.如申请专利范围第1项生长氮化III-V族化合物半导体的方法,其中反应管的内部压力値设定在不低于1.2大气压,但不高于1.8大气压。4.如申请专利范围第1项生长氮化III-V族化合物半导体的方法,其中反应管的内部压力値设定在不低于1.4大气压,但不高于1.8大气压。5.如申请专利范围第1项生长氮化III-V族化合物半导体的方法,其中反应管的内部压力値设定在不低于1.6大气压,但不高于1.8大气压。6.一种生长氮化III-V族化合物半导体的方法,其中氮化III-V族化合物半导体在基材表面向下生长。7.一种以金属-有机化学气相沈积法来法生长氮化III-V族化合物半导体的装置,包括一反应管,其内部压力値设定在不低于1.1大气压生长该氮化化合物半导体。8.如申请专利范围第7项生长氮化III-V族化合物半导体的装置,其中基材具有一生长该氮化III-V族化合物半导体的表面,该表面的法线方向具有一向下的分量。图式简单说明:第一图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第一种MOCVD装置的设计图;第二图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第二种MOCVD装置的设计图;第三图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第三种MOCVD装置的设计图;第四图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第四种MOCVD装置的设计图;第五图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第五种MOCVD装置的设计图;第六图显示可用于本发明之实施例生长GaN半导体的第六种MOCVD装置的设计图;第七图显示以萤光光谱在77K量测MOCVD装置之反应管内部压力设定在1.2大气压与0.33大气压时分别生长的GaN膜所得到的结果;第八图显示MOCVD装置之反应管内部压力设定在1.2大气压与0.33大气压所制备的样品中,InxGa1-xN中In成分x的改变与In/(Ga+In)供应的摩尔比;第九图显示以二次离子质谱仪量测MOCVD装置之反应管内部压力分别设定在1.2大气压与0.33大气压时生长之掺杂镁的GaN中的镁原子浓度;第十图显示MOCVD装置之反应管内部压力分别设定在1.0.1.4.1.6大气压时所生长之GaN样品,其蚀坑密度与生长压力间关系的量测结果;第十一图显示MOCVD装置之反应管内部压力分别设定在1.0与1.4大气压时所生长之掺杂矽的GaN样品,其临限功率密度与生长压力间关系的量测结果;第十二图解释量测第十一图之临限功率密度的方法;第十三图的截面图解释利用本发明实施例生长GaN半导体的方法制造GaN半导体雷射;第十四图是生长GaN半导体之MOCVD装置的设计图,在本实施例中基材的面向下;第十五图的截面图显示将基材固定于承座下表面使基材表面向下的第一种固定模式;第十六图的截面图显示将基材固定于承座下表面使基材表面向下的第二种固定模式;第十七图的截面图显示将基材固定于承座下表面使基材表面向下的第三种固定模式;第十八图显示将基材固定于承座下表面使基材表面向下之第三种固定模式的透视图;第十九图的截面图显示将基材固定于承座下表面使基材表面向下的第四种固定模式;第二十图的截面图解释将基材的表面斜向下固定的范例。 |
