| 主权项 |
1.一种使多晶层之蚀刻速率最佳化之方法,该多晶层具有由至少二种以晶粒及晶粒边界形式排列之化学物质所构成的预定成分,该层须藉由必需确定参数例如基底温度之沈积制程,与藉由含有能和多晶层中占优势数量的该二化学物质之一反应之化学媒介之一的蚀刻制程以便形成于半导体基底上,该方法包含:第一步骤系在于选择至少第一与第二不同基底温度;第二步骤系在于根据该沈积制程,在该第一与第二基底温度下,形成具有和该预定成分相同成分之第一与第二各别样品;第三步骤系在于分别确定该第一与第二样品之晶粒尺寸的第一及第二平均和第一及第二分散;第四步骤系在于从该第一及第二平均和该第一及第二分散中,计算出代表层之晶粒边界密度的结构参数之第一及第二数値,此参数系定义为由该化学物质所形成的多晶层之晶粒尺寸的平均和分散之函数;第五步骤系在于从该第四步骤计算所得数値间确定出最小参数结构値,相当于此结构参数値之温度被视为系使蚀刻速率最佳化的温度;并且第六步骤系在于根据第五步骤所确定之条件实施沈积制程,随后实施蚀刻制程,以便制造多晶层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中在该第四步骤中用来计算结构参数的函数,具有下列的形式:其中参考号f标示该结构参数,而且参考号和分别标示多晶层之晶粒尺寸的该平均与该分散。图式简单说明:第一图系显示第一多晶层之上视图;第二图系阐明第一图中该层之晶粒尺寸的〝对数一标准〞分布;第三图系显示第二多晶层之上视图;第四图系阐明第三图中该层之晶粒尺寸的〝对数一标准〞分布;以及第五图系显示连接蚀刻率与结构参数之实验点,和阐明这些点的数値近似曲线。 |
