发明名称 曝光方法及装置,以及元件制造方法
摘要 系抑制因投影光学系内之气体的温度,或纯度之变化导致之成像特性之恶化,为进行高精密度之曝光的曝光方法及装置。以做为曝光光束之准分子雷射光为基础,将标线板(R)之图案透过投影光学系(PL)复制于晶圆W上。将用以调整投影光学系(PL)之透镜(L2、L12~L15、L44、 L45)的光轴方向之位置及倾斜角的驱动元件(30A~30E),及用以将光瞳过滤器搬送至投影光学系(PL)内之遮光部件搬送机构(57)以盖(58A~58C)覆盖,与投影光学系(PL)之外气隔离。曝光时,以配管(135A)将氦气供给至投影光(PL)内部。藉氦气纯度传感器(59A)及温度传感器(59B),连续地检测氦气之纯度及温度,以此检测结果为基准将投影光学系(PL)内之氦气的纯度及温度维持于既定之容许范围内。
申请公布号 TW405160 申请公布日期 2000.09.11
申请号 TW088107896 申请日期 1999.05.14
申请人 尼康股份有限公司 发明人 西 健尔
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种曝光方法,系以曝光光束照射光罩之图案,将前述光罩之图案的像透过投影光学系曝光于基板上,其特征在于:设有于前述投影光学系内驱动既定光学部件以控制前述投影光学系之既定成像特性之成像特性控制部件,以及将该成像特性控制部件与前述投影光学系之外气隔离之隔离部件;曝光过程中对前述隔离部件之内部,及前述光学部件之周围供给能使前述曝光光束穿透之气体。2.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中前述既定光学部件,为分别以出入自如地方式配置在相对于前述投影光学系之前述光罩之图案面的光学性傅立业变换面附近的可变开口光圈、及用以控制、通过既定区域之前述曝光光束的振幅或相位之光学过滤器,其特征在于:前述可变开口光圈及前述光学过滤器系以于前述投影光学系之光轴方向互相错开之方式配置。3.一种曝光方法,系以曝光光束照射光罩之图案,将前述光罩之图案的像透过投影光学系曝光于基板上,其特征在于:曝光过程中对前述投影光学系内前述曝光光束之光路的至少一部分供给能使前述曝光光束穿透之气体,于前述投影光学系内连续地检测前述气体之纯度,及温度中至少一方,根据该检测结果将前述投影光学系内之前述气体之纯度,及温度中至少一方维持于既定之容许范围内。4.如申请专利范围第1或3项之曝光方法,其中前述曝光光束系波长100-300nm之紫外光,能使前述曝光光束穿透之气体系氮气、氦气、除去臭氧之空气或氢气。5.如申请专利范围第4项之曝光方法,其中前述投影光学系系由具有至少1片具备非球面加工面的光学元件之反射折射系构成,同时具有0.7以上之开口数,对前述投影光学系内之前述曝光光束之光路的实质上全体供给能使前述曝光光束穿透之气体。6.一种曝光装置,系以曝光光束照射光罩之图案,将前述光罩之图案的像透过投影光学系曝光于基板上,其特征在于,具有:于前述投影光学系内驱动既定之光学部件以控制前述投影光学系之既定的成像特性之成像特性控制部件:将该成像特性控制部件与前述投影光学系之外气隔离之隔离部件;以及曝光过程中对前述隔离部件之内部,及前述光学部件之周围供给能使前述曝光光束穿透之气体的气体供给系。7.如申请专利范围第6项之曝光装置,其中,前述既定之光学部件,包含用以控制相对于前述投影光学系之前述光罩之图案面的光学性傅立业变换面附近、通过分别以出入自如地方式配置的可变开口光圈、及既定区域之前述曝光光束的振幅或相位之光学过滤器。8.一种曝光装置,系以曝光光束照射光罩之图案,将前述光罩之图案的像透过投影光学系曝光于基板上,其特征在于,具有:曝光过程中对前述投影光学系内前述曝光光束之光路的至少一部分供给能使前述曝光光束穿透之气体的气体供给装置,及于前述投影光学系内实质地连续地检测前述气体之纯度,及温度中至少一方的传感器,根据该传感器之检测结果驱动前述气体供给装置将前述投影光学系内之前述气体之纯度,及温度中至少一方维持于既定之容许范围内。9.如申请专利范围第6-8项中任一项之曝光装置,其中将前述曝光光束之光路至少一部分分割成复数之光路,对该分割之复数的光路互相独立地供给能使前述曝光光束透过之气体。10.如申请专利范围第9项之曝光装置,其中供给至前述复数的光路之气体种类互不相同。11.如申请专利范围第6-8项中任一项之曝光装置,其中于曝光中供给至前述投影光学系内部之至少一部分的气体之种类与非曝光时供给至前述投影光学系之内部的气体之种类不同。12.如申请专利范围第6-8项中任一项之曝光装置,其中随曝光条件能切换供给至前述投影光学系内部之至少一部分的气体之种类。13.如申请专利范围第6-8项中任一项之曝光装置,其中前述曝光光束之波长在200-100nm之范围内时,于曝光中供给至前述投影光学系内部之至少一部分的气体,系使用氮气或氦气。14.一种曝光装置,系以自光源射出之曝光光束照射光罩,以透过前述光罩之前述曝光光束对基板曝光,其特征在于,具备有:移动配置于前述光源及前述基板间之光学系内的至少一个光学元件以调整前述光学系之光学特性的调整装置;将前述调整装置之至少一部分与外气隔离之隔离部件;以及对前述隔离部件之内部,供给能使前述曝光光束透过之气体的气体供给系。15.一种元件制造方法,其特征在于:系包含使用申请专利范围第1-5项中任一项之曝光方法以将元件图案复制于工作件上之步骤。图式简单说明:第一图系显示于本发明之一实施形态中所使用之投影曝光装置的概略构成图。第二图系显示第一图之投影光学系PL之构成的截面图。第三图系显示于本发明之实施形态中所使用之投影曝光装置的各单元空调系统的构成图。第四图系显示扩大第二图之投影光学系PL的第1对物部41之图。第五图系显示扩大第二图之投影光学系PL的光瞳部附近之图。第六图系显示于投影光学系PL之光瞳面配置光瞳过滤器60时之状态图。第七图系显示于投影光学系PL之光瞳面配置轮带状过滤器64时之状态图。第八图系显示第一图之准分子雷射光源2及第1照明系4之一部分的图。第九图系显示于本发明实施形态中所使用之投影曝光装置之机构部的支撑构造的立体图。第十图系显示被支撑于支撑部件68上之投影光学系PL之欠缺一部分的图。
地址 日本