| 主权项 |
1.一种自一固体基材做几何式控制移除材料之方法,包含:在一反应物存在状况下将一固体基材之一表面接触于一触媒式材料,而自该固体基材接触于该触媒式材料与该反应物之诸区域中移除材料,其中该触媒式材料或该反应物之至少一者系固体。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体基材包含一半导材料或一电介性材料。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该固体基材系一半导材料,且选自以矽、锗、镓、铟、砷及其混合物组成之族群中。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该固体基材系矽。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该固体基材系一电介性材料,且选自以SiO2.金刚石、Si3N4.金刚石性质之碳、氧化氟、气凝胶、聚合物及其他电介性材料组成之族群中。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该固体基材系SiO2。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒式材料系以至少一金属组成,其选自元素周期表之IVB、VB、VIB、VIIB及VIII族。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该金属系钨。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒式材料系一液体、固体或气体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该触媒式材料系一固体,具有一三维图案于其一表面上。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该触媒式材料系一固体,具有一主要呈平面状之表面。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒式材料系支承于一惰性支承材料上,惰性支承材料选自以玻璃、惰性金属及惰性聚合物组成之族群中。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该惰性支承材料系玻璃。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该惰性支承材料具有一三维图案于其一表面上,或具有至少一平面状之表面。15.如申请专利范围第1项之方法,其中该反应物系一液体、固体或气体。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该反应物系一气体。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该反应物包含氯原子、氧原子、氟原子、或其混合物。18.如申请专利范围第17项之方法,其中该反应物包含氯原子。19.如申请专利范围第1项之方法,其中该接触系实施于大约350℃至450℃温度、大约0.5至1psig压力长达大约1至20秒,且使用大约0.005至0.01 psig之反应物局部压力。20.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体基材系矽,该触媒式材料系固体钨、及该反应物系一含有氟原子之气体。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该钨系支承于玻璃上。22.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体基材系SiO2,该触媒式材料系钨及该反应物系一包含氟原子之气体。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该钨系支承于玻璃上。24.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体基材包含矽,该触媒式材料系固体钨颗粒及该反应物系一包含有氟原子之气体。25.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒式材料系一液体或气体及该反应物系一固体材料。26.如申请专利范围第25项之方法,其中该固体反应物具有一三维图案于且一表面上。27.如申请专利范围第1项之方法,其中该触媒式材料包含支承于一惰性支承材料上之触媒颗粒。28.如申请专利范围第1项之方法,其中该固体基材包括一积置于其一表面上之金属层。29.如申请专利范围第28项之方法,其中该金属层系由钨或铜组成。30.一种用以制成一几何控制式图案于一固体基材中之装置,包含:-固体基材之一表面;-触媒式材料之一表面;-反应物;及装置,系在该反应物存在下,将该固体基材之该表面接触于该触媒式材料。31.如申请专利范围第30项之装置,其中该用于接触之装置系使用一光电式定位器、自动机械臂或虎头钳。32.如申请专利范围第30项之装置,其中该触媒式材料系固体钨、该固体基材系矽或SiO2及该反应物系一包含氟原子之气体。图式简单说明:第一图(a)-第一图(b)系截面图,说明本发明其中一种触媒式诱发移除方法:(a)接触前,及(b)接触一非支承固体触媒式材料后。第二图系本发明之一变换实例截面图,其中触媒式材料系支承于一惰性支承材料上。第三图系本发明之另一变换实例截面图,其中绝缘触媒式颗料系携至接触于一固体基材之一表面。第四图(a)-第四图(b)系具有一金属层积置于一基材上之固体基材截面图:(a)接触于一触媒式材料与一反应物之前;及(b)接触于一触媒式材料与一反应物之后。 |
