发明名称 影像测感器及影像读取装置
摘要 本案提供一种影像测感器,供在一由发自一光源之光所照射之带影像纸读取影像。影像测感器包括许多影像测感器晶片,供接收自带影像纸所反射之光,以供根据所反射光之发光能量输出影像信号。影像测感器也包括一光检测器,供直接接收来自光源之光,以供根据直接所接收之光之发光能量输出一检测信号。
申请公布号 TW405323 申请公布日期 2000.09.11
申请号 TW087106220 申请日期 1998.04.23
申请人 罗沐股份有限公司 发明人 藤本久义;大西弘朗;高仓敏彦;今村典
分类号 G02B27/02;H04N1/028 主分类号 G02B27/02
代理机构 代理人 赖经臣 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室;宿希成 台北巿南京东路三段三四六号一一一二室
主权项 1.一种影像测感器,供在一出发自一光源之光所照 射之带影像纸读取影像包含: 许多影像测感器晶片,供接收自带影像纸所反射之 光,以供根据所反射光之发光能量输出影 像信号;以及 一光检测装置,供直接接收来自光源之光,以供根 据直接所接收之光之发光能量输出一检测 信号。2.如申请专利范围第1项之影像测感器,其中 影像测感器晶片包括许多光接收元件,各有预 定之温度特征,光检测装置包含一光电晶体管,具 有温度特征大致与光接收元件者相似。3.如申请 专利范围第1项之影像测感器,另包含:放大装置,供 放大来自影像测感器晶片之 影像信号,放大装置有一可变放大因数;以及放大 控制装置,供依据来自光检测装置之检测 信号改变放大装置之放大因数。4.如申请专利范 围第3项之影像测感器,另包含:记忆装置,供储存校 正数据,其包括来自 影像测感器晶片之参考影像信号,及一来自光单检 测装置之参考检测信号,参考影像信号及 参考检测信号系藉测试读取操作所获得; 其中放大控制装置调整放大装置之放大因数,供依 据一来自光检测装置之检测信号及储存在 记忆装置之校正数据之实际读取操作,因而放大装 置提供具有预定电平之放大影像信号。5.如申请 专利范围3项之影像测感器,另包含放大固定装置, 供强制放大装置之放大因数设 定在一预定値。6.如申请专利范围第3项之影像测 感器,其中放大装置,光检测装置及放大控制装置 予以结 合在一单一控制晶片。7.如申请专利范围第3项之 影像测感器,其中影像测感器晶片供给红,绿及蓝 影像信号,放 大装置包括一第一放大器,一第二放大器及一第三 放大器,其分别对应于红,绿及蓝影像信 号,放大控制装置予以设置为单独调整第一至第三 放大器之放大因数。8.如申请专利范围第3项之影 像测感器,其中光检测装置及放大控制装置系由各 有一电阻与 光源之发光度成比例变化之CdS单元所整体提供。9 .如申请专利范图第8项之影像测感器,其中放大装 置包含操作放大器,各有一输出端子及 一反相端子,每一CdS单元予以设置在一个别操作放 大器之输出端子与反相端子之间。10.如申请专利 范围第9项立之影像测感器,其中影像测感器晶片 供给红,绿及蓝影像信号, 操作放大器分别对应于红,绿及蓝影像信号, CdS单元分别对应于红,绿及蓝影像信号。11.如申请 专利范围第3项之影像测感器,其中放大控制装置 包含一负反馈放大器,包括一反 馈电路,光检测装置设置在其中。12.如申请专利范 围第11项之影像测感器,其中藉放大装置之放大因 数之变化抵消光源之发 光能量之变化。13.如申请专利范围第11项之影像 测感器,其中负反馈放大器包括一操作放大器,有 一输出 端子及一反相端子, 反馈电路包括一电阻器串联连接至光检测装置,反 馈电路予以设置在操作放大器之输出端子 与反相端子之间。14.如申请专利范围第11之影像 测感器,其中影像测感器晶片供给红,绿及蓝影像 信号, 放大装置包括一第一放大器,一第二放大器及一第 三放大器,其分别对应于红,绿及蓝影像 信号, 光检测装置及放大控制装置予以共同提供,以供红 ,绿及蓝影像信号。15.一种影像读取装置包含: 一光源,供发出光以照射在一带影像构件; 许多影像测感器晶片,供接收自带影像纸所反射之 光,以供根据所反射光之发光能量输出影 像信号; 一光检测装置,供置接接收来自光源之光,以供根 据直接所接收之光之发光能量输出一检测 信号;以及 放大装置,供放大来自影像测感器晶片之影像信号 ,放大装置在放大因数为可变;以及 放大控制装置,供依据来自光检测装置之检测信号 改变放大装置之放大因数。16.如申请专利范围第 15项之影像读取装置,其中光源包含一冷阴极管。 17.如申请专利范围第15项之影像读取装置,其中光 检测装置,放大装置及放大控制装置予 以结合在一单一控制晶片,影像读取装置另包括一 印刷电路板,供支承控制晶片及影像测感 器晶片。18.如申请专利范围第17项之影像读取装 置,另包含一外壳,供支承光源及印刷电路板,外 壳形成有一通孔,供将发自光源之光导至控制晶片 。图式简单说明: 第一图为剖面图,示一根据本发明之实施例之接触 型影像读取装置; 第二图为平面图,示一供影像读取装置使用之磁头 基片; 第三图为平面图,示一安装在磁头基片之影像测感 器晶片之一部份; 第四图为影像测感器晶片之电路方块图; 第五图为一安装在磁头基片之控制晶片之电路方 块图; 第六图为曲线图,例示一光电晶体管之输出与一放 大器之放大因数间之关系; 第七图为平面图,示一根据另一实施例之磁头基片 ; 第八图为剖面图,示一设有第七图中所示磁头基片 之影像读取装置; 第九图为电路图,示一根据另一实施例之放大区段 ; 第十图为电路图,示一根据又一实施例之放大区段 ; 第十一图为曲线图,例示第十图中所示光电晶体管 所接收之发光能量与第十图中所示操 作放大器所供给之控制电压间之关系; 第十二图为曲线图,例示以上控制电压与第十图中 所示放大器之放大因数间之关系;以 及 第十三图为曲线图,示一冷阴极管特有之时间-输 出。
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