半导体封止用树脂组成物、使用该组成物之半导体装置及半导体装置之制法

摘要

本发明系关于一种安全性、耐湿性及难燃性俱优且成形性亦佳之半导体封止用树脂组成物、及使用此半导体封止用树脂组成物实行半导体元件之树脂封止所得之可靠性优异之半导体装置。本发明所提供之半导体封止用树脂组成物系由:热硬性树脂、硬化剂及下式(I)所示之多面体形状之复合金属氢氧化物组成;m(MaOb)．n(QdOe)．cH2O.....(I)式中,M及Q为不同之金属元素,Q为元素周期表中之由IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib,IIb选出之族群中之金属元素。又,m、n、a、b、c、d、e为正数,可为相同或不同之值。依本发明,树脂组成物可抑制流动性之降低,在转送模制等时不发生问题,可提高成形性,甚且可提高焊接性及机械强度。

主权项

1.一种半导体封止用树脂组成物,系由下列成份组 成; (A)热硬性树脂; (B)硬化剂; (C)由下示通式(I)所示之多面体形状之复合金属氢 氧化物; m(MaOb).n(Qde).cH2O....(I) 式中,M及Q不同之金属元素,Q为元素周期表中之由 IVa、Va、VIa、VIIa、VIII、Ib,IIb选 出族群中之金属元素;又,m、n、a、b、c、d、e为正 数,可为相同或不同之値。2.如申请专利范围第1项 之半导体封止用树脂组成物,其中式(I)中之代表金 属元素之M系选 自铝、镁、钙、镍、钴、锡、锌、铜、铁、钛及 硼之群中之至少一种金属。3.如申请专利范围第1 项之半导体封止用树脂组成物,其中式(I)中之代表 金属元素之Q系选 自铁、钴、镍、钯、铜、锌及镉之群中之至少一 种金属。4.如申请专利范围第1或2或3项之半导体 封止用树脂组成物,其中式(I)代表之复合金属氢氧 化物之平均粒径为0.5-10m。5.如申请专利范围第1 或2或3项之半导体封止用树脂组成物,其中式(I)代 表之复合金属氢氧 化物之宽长比为1-8。6.如申请专利范围第1或2或3 项之半导体封止用树脂组成物,其中复合金属氢氧 化物全体中 之上式(I)代表之具有多面体形状之复合金属氢氧 化物之所占比例为30-100重量%范围。7.如申请专利 范围第1或2或3项之半导体封止用树脂组成物,其中 式(I)所代表之复合金属氢 氧化物为 sMgO.(1-s)NiO.cH2O 其中0