| 主权项 |
1.一种具有PTC行为之结晶导电性聚合物组成物,此 组成物包括一经修饰成带有羧酸或羧酸 衍生物接枝体之聚烯烃和一导电性粒状填料,该填 料包括一种下述之物质:镍粉、银粉、金 粉、铜粉、镀银之铜粉、金属合金粉末、碳黑、 碳粉及石墨,且导电性粒状填料对经修饰聚 烯烃之体积比至少为0.3。2.如申请专利范围第1项 之组成物,其中经修饰聚烯烃包括一择自由聚乙烯 ,聚乙烯共聚物 ,聚丙烯和乙烯/丙烯共聚物组成之群中的聚合物 。3.如申请专利范围第1项之组成物,其中经修饰聚 烯烃包括一羧酸或一羧酸衍生物。4.如申请专利 范围第3项之组成物,其中羧酸衍生物包括一择自 由醯氯化物,羧酸酐类,羧 酸酯类,醯胺类和硫醇酯类组成之群中的衍生物。 5.如申请专利范围第1项之组成物,其中经修饰聚烯 烃包括聚乙烯和马来酸酐。6.如申请专利范围第5 项之组成物,其中经修饰聚烯烃包括90-99wt%聚乙烯 和1-10wt%马来酸 酐。7.如申请专利范围第1项之组成物,其中导电性 粒状填料包括碳黑。8.如申请专利范围第1项之组 成物,其中导电性粒状填料与经修饰聚烯烃形成化 学键。9.如申请专利范围第1项之组成物,其中经修 饰聚烯烃包括接枝以马来酸酐之聚乙烯且导电 性粒状填料包括碳黑。10.如申请专利范围第1项之 组成物,其中组成物在25℃下有少于5欧姆公分之电 阻率。11.如申请专利范围第1项之组成物,其中组 成物在25℃下具有少于2欧姆公分之电阻率。12.一 种具有PTC行为之结晶导电性聚合物组成物,此组成 物包括一选自镍粉、银粉、金粉、 铜粉、镀银之铜粉、金属合金粉末、碳黑、碳粉 及石墨之导电性粒状填料及一具有下式之经 修饰聚烯烃: 其中X1择自由羧酸和羧酸衍生物组成之群中,且羧 酸衍生物系选自醯氯化物,羧酸酐类,羧 酸酯类,醯胺类和硫醇类,且其中x和y存在量使x/y之 重量比是至少9,导电性粒状填料对具 有下式之经修饰聚烯烃的体积比是至少0.3。13.如 申请专利范围第12项之组成物,其中X1是马来酸酐 。14.如申请专利范围第1或12项之组成物,其中此组 成物在大于25℃之温度下具有至少1,000 欧姆公分之尖峰电阻率。15.如申请专利范围第1或 12项之组成物,其中此组成物在大于25℃之温度下 具有至少10,000 欧姆公分之尖峰电阻率。16.如申请专利范围第1或 12项之组成物,其中此组成物在大于25℃之温度下 具有至少 100,000欧姆公分之尖峰电阻率。17.如申请专利范围 第12项之组成物,其中此组成物具有至少30%之结晶 度及在25℃下少于5 欧姆公分之电阻率。18.如申请专利范围第17项之 组成物,其中此组成物在25℃下具有少于2欧姆公分 之电阻率。19.一种导电性聚合物组成物,其具有在 25℃下少于5欧姆公分之电阻率及在大于25℃温度 下 至少1,000欧姆公分之尖峰电阻率,此组成物包括一 导电性填料组份接枝至一经修饰聚烯烃 组份。20.如申请专利范围第19项之组成物,其中经 修饰之聚烯烃组份包括: (a)一聚烯烃,其择自由聚乙烯,聚乙烯共聚物,聚丙 烯和乙烯/丙烯共聚物组成之群中; 且 (b)一羧酸或一羧酸衍生物。21.如申请专利范围第 20项之组成物,其中羧酸衍生物包括一择自由醯氯 化物,羧酸酐类, 羧酸酯类,醯胺类和硫醇类组成之群之衍生物。22. 如申请专利范围第19项之组成物,其中经修饰聚烯 烃组份包括聚乙烯和马来酸酐。23.如申请专利范 围第19项之组成物,其中经修饰聚烯烃组份包括90- 99wt%聚烯烃和1-10 wt%羧酸或羧酸衍生物。24.如申请专利范围第19项 之组成物,其中此组成物包括30-45vol%导电性填料组 份和 55-70vol%经修饰聚烯烃组份。25.一种电装置,其包括 : (a)一种PTC元件,其具有一接枝至导电性粒状填料组 份之经修饰聚烯烃组份;及 (b)二电极,每一电极可连接至一电源,且当如此连 接时,使电流流经PTC元件。26.如申请专利范围第25 项之电装置,其中PTC元件包括30-45vol%导电性粒状填 料组份和 55-70vol%经修饰聚烯烃组份。27.如申请专利范围第 25项之电装置,其中PTC元件包括90-99wt%聚乙烯和1-10 wt%马来酸酐 。28.如申请专利范围第25项之电装置,其中此装置 在25℃下具有少于1欧姆之电阻。29.如申请专利范 围第25项之电装置,其中此装置具有至少500伏特/毫 米之介电强度。30.一种电装置,其包括: (a)一种PTC元件,其具有一接枝至一导电性粒状填料 组份之经修饰聚烯烃组份,此经修饰聚 烯烃组份包括90-99wt%聚乙烯和1-10wt%羧酸或羧酸衍 生物,此PTC元件在25℃下具有少于5 欧姆公分之电阻率及在大于25℃温度下至少1,000欧 姆公分之电阻率;及 (b)二电极,每一电极可连接至一电源,且当如此连 接时,使电流流经此PTC元件,电装置在 25℃下具有少于1欧姆之电阻Rint。31.如申请专利范 围第30项之电装置,其中电装置在受到一循环测试( 由10个连续测试循环组 成,每一循环由应用40安培至装置历15秒,接着是一 不应用电流或电压至装置之休息期历 285秒所组成)后,在测试循环已完成后之装置的电 阻R10循环是少于Rint。32.如申请专利范围第30项之 电装置,其中电装置在受到一循环测试(由100个连 续测试循环 组成,每一循环由应用40安培至装置历15秒,接着是 一不应用电流或电压至装置之休息期历 285秒所组成)后,在测试循环已完成后之装置的电 阻R100循环是介于.75Rint及1.5Rint 间。33.如申请专利范围第30项之电装置,其中装置 在受到一解扣耐受测试(其由应用40安培电流 至此装置历15秒之最大期间以将装置解扣及藉着 应用15伏特经此装置而保持此装置在解扣态 历48小时所组成)后,装置之电阻R48小时在解扣测试 已完成后是少于Rint。34.如申请专利范围第30项之 电装置,其中装置在受到一解扣耐受测试(其由应 用40安培电流 至此装置历15秒之最大期间以将装置解扣及藉着 应用15伏特经此装置而保持此装置在解扣态 历168小时所组成)后,置之电阻R648小时在解扣测试 已完成后是少于Rint。35.一种电装置,其包括: (a)一种PTC元件,其具有一接枝至一导电性粒状填料 组份之经修饰聚烯烃;及 (b)具有一表面粗糙度Ra之二电极,电极未被化学或 机械处理以增强表面粗糙度Ra,每一电 极可连接至一电源,且当如此连接时,使电流流经 PTC元件。36.如申请专利范围第35项之电装置,其中 平均表面粗糙度Ra少于1微米。37.如申请专利范围 第35项之电装置,其中平均表面粗糙度Ra中介于0.3 至0.5微米间。38.一种电路,其包括: (a)一电源; (b)一电路保护装置,其包括一PTC元件和二电极,PTC 元件由一包括经修饰之聚烯烃和导电 性粒状填料之导电性聚合物组成物所组成;及 (c)与电路保护装置串联连接之其它电路元件,其具 有电阻RL欧姆。39.如申请专利范围第38项之电路, 其中经修饰聚烯烃包括一择自由聚乙烯,聚乙烯共 聚物 ,聚丙烯和乙烯/丙烯共聚物组成之群中的有机聚 合物材料。40.如申请专利范围第38项之电路,其中 经修饰聚烯烃包括一接枝以一羧酸或一羧酸衍生 物 之有机聚合材料。41.如申请专利范围第40项之电 路,其中羧酸衍生物包括一择自由醯氯化物,羧酸 酐类,羧 酸酯类,醯胺类和硫醇酯类组成之群中的衍生物。 42.如申请专利范围第38项之电路,其中经修饰聚烯 烃包括90-99wt%聚烯烃及1-10wt%马来酸 酐。43.如申请专利范围第38项之电路,其中导电性 粒状填料包括碳黑。44.如申请专利范围第38项之 电路,其中导电性粒状填料化学链结至经修饰之聚 烯烃。45.如申请专利范围第38项之电路,其中PTC元 件在25℃下具有少于5欧姆公分之电阻率及在 大于25℃温度下至少1000欧姆公分之尖峰电阻。46. 如申请专利范围第38项之电路,其中电路具有一正 常操作条件,其中电路保护装置具有 少于1欧姆之电阻Rdn。47.如申请专利范围第38项之 电路,其中电路保护装置在25℃下具有Rint之电阻且 此装置在 受到一循环测试(由10个连续测试循环组成,每一循 环由应用40安培至装置历15秒,接着是 一不应用电流或电压至装置之休息期间历285秒所 组成)后,在测试循环已完成后之装置的电 阻R10循环是少于Rint。48.如申请专利范围第38项之 电路,其中此电路保护装置在25℃下具有Rint之电阻 且此装置 在受到一循环测试(由100个连续测试循环组成,每 一循环由应用40安培至装置历15秒,接着 是一不应用电流或电压至装置之休息期历285秒所 组成)后,在测试循环已完成后之装置的电 阻R10循环是介于.75Rint及1.50Rint之间。49.如申请 专利范围第38项之电路,其中电路保护装置在25℃ 下具有Rint之电阻且装置在受 到一解扣耐受测试(其由应用40安培至此装置历15 秒之最大期间以将装置解扣且藉着应用15 伏特经此装置而保持装置在解扣态历48小时所组 成)后,在解扣耐受测试已完成后之装置之 电阻R48小时是少于Rint。50.如申请专利范围第38项 之电路,其中装置在25℃下具有Rint之电阻且装置在 受到一解扣 耐受测试(其由应用40安培至此装置历15秒之最大 期间以将装置解扣且藉着应用15伏特经此 装置而保持装置在解扣态历168小时所组成)后,在 解扣耐受测试已完成后之装置的电阻R168 是少于Rint。51.一种电路,其包括一电源,一包括PTC 元件和二电极之电路保护装置及串联地与电路保 护 装置连接之其它具有电阻RL欧姆之电路,且其在故 障条件发生下,具有正常操作条件及高温 安定操作条件,其中: (a)PTC元件包括一PTC导电性聚合物,此聚合物包括有 机聚合物材料和导电性碳黑,PTC导电 性聚合物在25℃下具有5欧姆公分以下之电阻率; (b)电路保护装置具有在25℃下1欧姆以下及0.5RL欧 姆以下之电阻; (c)在正常操作条件中之电路中之电力对在高温安 定条件中电力之比,亦即开关比是至少8; 改良点包括有机聚合物材料,其包括下式之经修饰 聚烯烃 其中X1择自包括羧酸和羧酸衍生物之群中,且其中x 和y存在量使x/y重量比是至少9。52.如申请专利范 围第51项之电路,其中在高温安定操作条件下,电路 保护装置具有至少500 伏特/毫米之介电强度。53.如申请专利范围第51项 之电路,其中电路保护装置在正常操作条件中具有 少于0.5欧姆之 电阻。54.如申请专利范围第51项之电路,其中经修 饰聚烯烃包括90-99wt%聚乙烯和1-10wt%马来酸 酐。55.如申请专利范围第51项之电路,其中经修饰 聚烯烃化学键结至碳黑上。56.如申请专利范围第 51项之电路,其中PTC导电性聚合物在大于25℃温度 下具有至少10,000 欧姆公分之尖峰电阻率。57.如申请专利范围第51 项之电路,其中电路保护装置在高温安定操作条件 下具有之电阻是 大于在正常操作条件下电路保护装置之电阻的至 少10倍。图式简单说明: 第一图说明作为温度函数之本发明第一实体的电 阻率; 第二图说明作为温度函数之本发明第二实体的电 阻率; 第三图说明本发明电装置之侧视图; 第四图说明用来测量依本发明之电路保护装置之 介电强度的测试电路;且 第五图说明在一典型电路中作为电路保护装置之 本发明的应用。 |
