发明名称 VERTICAL RESONATOR LASER DIODE WITH A LIGHT ABSORBING LAYER
摘要 <p>Die Erfindung beschreibt eine Vertikalresonator-Laserdiode (10, 20), bei der zwischen einer ersten Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (2) und einer zweiten Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (4), von denen jede eine Mehrzahl von Spiegelpaaren (22, 44) aufweist, eine aktive Schichtenfolge (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung angeordnet ist, die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) einen Laser-Resonator bilden, die beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) und die aktive Schichtenfolge (3) zwischen einer ersten (7) und einer zweiten elektrischen Kontaktschicht (8) angeordnet sind, eine (4) der beiden Bragg-Reflektor-Schichtenfolgen (2, 4) für die in der aktiven Schichtenfolge (3) erzeugte Laserstrahlung teildurchlässig ist, wobei mindestens eine lichtabsorbierende Schicht (9) mit einer definierten Lichtabsorption zwischen der teildurchlässigen Bragg-Reflektor-Schichtenfolge (4) und der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) oder auf der Lichtaustrittsseite der ersten elektrischen Kontaktschicht (7) angeordnet ist.</p>
申请公布号 WO2000052793(A1) 申请公布日期 2000.09.08
申请号 DE2000000543 申请日期 2000.02.25
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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