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<P>Le nouveau transistor selon l'invention comprend dans une région de canal en silicium, une couche enterrée d'un alliage Si1-x Gex où 10-5 <= x <= 4. 10-1 , de préférence 10-4 <= x 10-1 , dans laquelle est implantée une dose d'indium. La dose d'indium implantée varie de 1. 1011 à 4. 1015 atomes/ cm2 , de préférence de 5. 1012 à 5. 1013 atomes/ cm2 . Application aux transistors CMOS.</P>
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