| 摘要 |
<p>Cette invention concerne un procédé de fabrication de circuits intégrés qui consiste à : former des tranchées (2a) dans des zones d'isolation d'un substrat (1) par attaque à sec avec un nitrure de silicium (14) et des parois intercalaires (16) faisant office de masques ; à retirer les parois intercalaires (16) du nitrure de silicium (14) et ; à traiter la surface du substrat (1) autour des régions actives par oxydation thermique dudit substrat pour qu'il présente une section arrondie.</p> |
