一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件

摘要

本发明涉及一种静电感应晶闸管的制造方法及其器件，方法是在扩有栅区的单晶片上进行氧化之后，将除了栅墙以外的栅区和阴极区一起刻成阴极扩散区的窗口后进行大面积的阴极扩散，将金属化区做在栅墙上制成静电感应晶闸管。栅区分为两部分，一部分Ｐ⁺栅层形成埋栅结构，另一部分栅区是栅墙作为栅接触区的表面栅结构。本发明方法工艺简单，对设备要求不高，可以大幅度提高成品率，并可使器件性能得到大幅度提高。

主权项

1.一种静电感应晶闸管的制造方法，具体工艺过程为：在N-高阻硅外延层上进行P型杂质扩散形成P+层→磨掉硅片一侧的P+层，并抛光硅片表面→热氧化生长SiO2→光刻栅极扩散窗口→进行栅区硼扩散，并再分布生长SiO2层→光刻阴极扩散区窗口→进行阴极N+扩散，形成阴极区，并氧化生成SiO2→光刻阴极和栅极引线孔→蒸铝→刻铝形成阴极金属化区和栅极金属化区，其特征在于把扩有栅区和栅墙的N-高阻硅外延片进行氧化后，将除了栅墙以外的栅区和阴极区一起刻成阴极扩散区的窗口，以进行大面积的阴极扩散，这时栅条区即被阴极区覆盖，形成埋栅结构，将金属化区做在栅墙上和阴极区上制成静电感应晶闸管。