| 主权项 |
1.一种CMOS积体电路耗电流之电压转换侦测装置,系将待侧之积体电路是否合乎正常的规格,该装置包含:平衡电桥,系具有第一电压量测端,第二电压量测端,一正稳流源输入端,一负稳流源输入端,及该第一电压量测端耦合至待测积体电路的负电流源端;正稳流电产生装置,系输入正电压源,并耦合至该平衡电桥的正稳流源输入端,以输出稳定正电流;负稳流电产生装置,系输入负电压源,并耦合至该平衡电桥的负稳流源输入端,以输出稳定负电流;以及量测该第二电压量测端所输出之电压値,作为该待测试积体电路是否合乎正常规格之判定结果。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中上述之正稳流电产生装置包含:第一电晶体,其第一电极系耦合至上述之正电压源,第二电极系耦合至上述之平衡电桥的正电流稳流源输入端,及具有第三电极;第二电晶体,其第一电极系耦合至上述之正电压源,第二电极系耦合至第三电极与第一电晶体之第三电极;以及第三电晶体,其第一电极系耦合至第二电晶体之第二电极,及其第二电极与第三电极均耦合至上述之负电压源。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中上述之负稳流电产生装置包含:第一电晶体,其第一电极系耦合至上述之负电压源,第二电极系耦合至上述之平衡电桥的负电流稳流源输入端,及具有第三电极;第二电晶体,其第一电极系耦合至上述之负电压源,第二电极系耦合至其第三电极与第一电晶体之第三电极;以及第三电晶体,其第一电极系耦合至第二电晶体之第二电极,及其第二电极与第三电极均耦合至上述之正电压源。4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中上述之第一、第二,及第三晶体均为PMOS之场效电晶体。5.如申请专利范围第3项所述之装置,其中上述之第一、第二,及第三晶体均为NMOS之场效电晶体。6.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之判定结果为当上述之第二电压量测端所输出之电压値超出设定范围时,则判定上述之待测积体电路为不合规格。7.如申请专利范围第1项所述之装置,其中之判定结果为当上述之第二电压量测端所输出之电压値超出设定范围内时,则判定上述之待测积体电路为合乎规格。图式简单说明:第一图为一电路图,显示本创作之最佳实施例。 |
