| 主权项 |
1.一种光学式辐射测量装置,其系在光学式之装置中,有至少一个辐射侦测器(10),以测量一种由至少两个辐射源(3)所启射之电磁辐射,其特征为,在一个通道铸体(11)中分别设置辐射通道(12),以在辐射源(3)与辐射源共同之辐射侦测器(10)间,作为其辐射路径。2.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射通道(12)系一截面形状,其与辐射源(3)之形状相符合。3.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射通道(12)系一截面形状,其亦能在辐射源(3)由其应有位置偏离时,产生一条通向辐射侦测器(10)之辐射通道。4.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射通道(12)有至少一壁面之结构。5.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射通道(12)具有至少一个可改变辐射通道(12)之截面积的装置(17)。6.根据申请专利范围第5项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,可改变辐射通道(12)之截面积的装置(17),含有一个螺旋钮,其可横越辐射方向,旋入辐射通道(12)内。7.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,光学式辐射测量装置多个辐射源(3)系相互并列而置,并且在通道铸体(11),各个辐射源(3)分别具有一条辐射通道(12),通向其共同之辐射侦测器(10)。8.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,通道铸体(11)及一或多条辐射通道(12 ),延伸至一或多个辐射源(3)。9.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,在一条辐射通道(12)之至少一个出口、及一个其所配置之辐射源(3)间,至少有一个可透光的、由辐射通道(12)延长出来之中间元件(20)。10.根据申请专利范围第9项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,一个由多条辐射通道(12)延长出来之共同的中间元件。11.根据申请专利范围第9项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,中间元件(20)系一个石英元件或蓝宝石元件。12.根据申请专利范围第7项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源(3)系独立灯具,其相互并列成一排、形成灯架(4.5)而量,且在灯具(3)与一个共同之辐射侦测器(10)间的辐射通道(12),系于通道铸体(11)中呈扇形设置。13.根据申请专利范围第7项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,各个灯具(3)照射至辐射侦测器(10)上的辐射之比例,分别透过此可改变各个辐射通道(12 )之截面积的装置(17)来调节。14.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,在辐射通道(12)朝向辐射侦测器(10)的末端与辐射侦测器(10)之间,设置一面圆柱透镜( 14)。15.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,和一种用于热处理半导体基底之快速加热系统搭配应用。16.根据申请专利范围第15项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,半导体基底之热处理,需要在一个反应室之内,其主要系由一种可为辐射源之电磁辐射、及辐射侦测器测量波长之光谱所穿透之材质组成。17.根据申请专利范围第16项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,可穿透之材质,含有石英玻璃及/或蓝宝石。18.根据申请专利范围第16项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,该材质在灯具光谱上所测得之吸收系数,介于0.0011/cm至0.11/cm之间。19.根据申请专利范围第16项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,反应室之壁面厚度,系在1公厘至5公分之间。20.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源包含至少一条灯丝,其至少部份为盘旋之灯丝结构。21.根据申请专利范围第20项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,透过灯具之灯丝结构,可达成一种预定的、几何形状的、及光谱的放射断面。22.根据申请专利范围第21项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源的灯丝,包含交互盘旋及未盘旋之灯丝结构。23.根据申请专利范围第20项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源包含两条可个别控制的灯丝。24.根据申请专利范围第20项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,至少一条灯丝,包含至少三个通电接点。25.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源包含至少一个卤素灯具。26.根据申请专利范围第20项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,至少一条灯丝结构之密度沿灯丝变化。27.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,辐射源包含至少一个弧形灯具。28.根据申请专利范围第1项所述之光学式辐射测量装置,其特征为,透过一种辐射源及/或辐射通道之彼此相互适当配置,可使辐射侦测器产生一种讯号,其不受灯丝支撑装置、或其他会对辐射源之辐射流或辐射温度造成影响之物质。图式简单说明:第一图表示一个在应用根据本发明之辐射测量装置下之快速加热炉,一个纵切面之示意图,第二图表示一个沿第一图标示之切线II-II之截面,第三图表示一个在第一图及第二图显示之辐射通道-铸体之截面图,加以放大之截面示意图,第四图表示一个沿第三图标示之切线IV-IV之切面图,第五图表示一个辐射通道-铸体之图示,其部份为切面图,且系由辐射通道-铸体朝向灯管之窄面方向看过去,以及第六图表示一个放大之辐射通道-铸体的局部图示,以说明辐射通道在一个灯管方向之指向及装设,第七图表示一个放大之、在辐射通道之一个出口与一个辐射源间之范围的局部图示,以说明本发明之另一个实施例。 |
