除去制作焊垫接触窗光阻之方法

摘要

本发明系揭露一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法，为解决在定义基板焊垫接触窗过程中，焊垫腐蚀和保护层上方过度蚀刻，产生可见缺陷(visual defeat)的问题。首先，在已有制作好保护层的半导体基板上，旋涂光阻用以定义出焊垫接触窗，接续，经微影蚀刻后在未去除保护层上之光阻之前，使用含氧反应气体之电浆处理，目的在使焊垫接触窗中的焊垫表面形成一自然氧化层，接下来使用两阶段蚀刻方式除去光阻，第一阶段使用湿蚀刻，其目的系快速、粗略地除去光阻，第二阶段使用乾蚀刻以除去在第一阶段中未去除之残余光阻。

主权项

1.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法,系包括:(a)在一已制作出最上层金属连线及焊垫之半导体基板上形成保护层;(b)形成具焊垫接触窗图案之光阻于所述保护层上,并开启焊垫接触窗;(c)形成自然氧化层于焊垫接触窗底部;(d)除去保护层上之大部份光阻;(e)除去保护层上之剩余光阻。2.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述步骤b开启焊垫接触窗系使用乾式蚀刻方式。3.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述形成自然氧化层系使用电浆法。4.如申请专利范围第3项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述电浆处理反应时间介于20至5Ominutes之间。5.如申请专利范围第3项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述之电浆之反应气体为氧气。6.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述步骤d系使用湿式蚀刻方式。7.如申请专利范围第1项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述步骤d系使用电浆蚀刻方式。8.如申请专利范围第7项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述之电浆蚀刻之反应气体为氧气。9.一种除去制作焊垫接触窗光阻之方法,系包括:(a)提供一以开启焊垫接触窗之基板,所述之基板上具有尚未剥除之焊垫接触窗图案之光阻;(b)形成自然氧化层于所述焊垫接触窗底部;(c)除去基板上之光阻。10.如申请专利范围第9项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述形成自然氧化层系使用电浆法。11.如申请专利范围第10项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述之电浆之反应气体为氧气。12.如申请专利范围第10项所述除去制作焊垫接触窗光阻之方法,其中所述电浆处理反应时间介于20至50 minutes之间。13.一种除去制作接触窗光阻之方法,系包括:(a)在一含绝缘层之半导体基板上,定义出介层孔(Via),所述之半导体基板上具有尚未剥除之介层孔图案之光阻;(b)形成自然氧化层于导线接触窗上;(c)除去基板上之光阻。14.如申请专利范围第13项所述除去制作接触窗光阻之方法,其中步骤a所述定义导线接触窗系使用乾式蚀刻方式。15.如申请专利范围第13项所述除去制作接触窗光阻之方法,其中所述形成自然氧化层系使用电浆法。16.如申请专利范围第15项所述除去制作接触窗光阻之方法,其中所述之电浆之反应气体为氧气。17.如申请专利范围第15项所述除去制作接触窗光阻之方法,其中所述电浆处理反应时间介于20至50 minutes之间。图式简单说明:第一图A-第一图E系习知技艺中开焊垫接触窗之制程剖面示意图。第二图A-第二图E系本发明实施例中开焊垫接触窗之制程剖面示意图。