| 主权项 |
1.一种选择性金属层形成法,包括的步骤为:将一绝缘膜与一导电层形成其上之半导体基板置入腔室中,并供给一清泄气体至腔室中;藉由提供对于绝缘膜与导电层乃选择性沉积之牺牲金属源气体至腔室中,而将牺牲金属层仅形成于导电层上;以及藉由供给具有卤素亲和力较牺牲金属层中之金属原子的卤素亲和力为低之金属卤化物气体至腔室,而以一沉积金属层取代该牺牲金属层。2.如申请专利范围第1项之选择性金属层形成法,其中该绝缘膜为氧化物膜(SiO2)或含有氧化物膜之复合物膜。3.如申请专利范围第1项之选择性金属层形成法,其中该导电层为以杂质掺杂之矽或金属所形成。4.如申请专利范围第3项之选择性金属层形成法,其中以杂质掺杂之矽具有氢端自由基。5.如申请专利范围第3项之选择性金属层形成法,其中该金属为TiN。6.如申请专利范围第1项之选择性金属层形成法,其中该清泄气体系氢气与矽烷之混含物。7.如申请专利范围第1项之选择性金属层形成法,其中该清泄气体不断地被供给,或者先供给一预定量以做清泄,并且周期性地以预定的量供给于牺牲金属层被形并为沉积金属层取代之后。8.一种使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,包括的步骤为:(a)形成一曝露出半导体基板源极区的接触孔,其系藉由形成一绝缘膜于半导体基板上并将该绝缘膜布局图案化而得;(b)形成一填充该接触孔并覆盖该绝缘膜之导电层;(c)形成一连结至接触孔的导电层布局图案,其系藉由加工该导电层而得;(d)将该半导体基板置入腔室中,且将清泄气体供给至腔室中;(e)将一牺牲金属层仅形成于导电层上,其系藉着将对于绝缘膜与导电层乃选择性沉积的牺牲金属源气体供给至腔室中而得;(f)藉由供给具有卤素亲和力较牺牲金属层中之金属原子的卤素亲和力为低之金属卤化物气体至腔室,而以一沉积金属层取代该牺牲金属层;(g)形成一介电膜于沉积金属层上;以及(h)形成一较高电极于该介电膜上。9.如申请专利范围第8项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,其中该绝缘膜为氧化物膜(SiO2)或含有氧化物膜之复合物膜。10.如申请专利范围第8项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,其中步骤(b)中之导电层由杂质掺杂之多晶矽或氮化钛(TiN)所形成。11.如申请专利范围第10项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,其中以杂质掺杂之多晶矽具有氢端自由基。12.如申请专利范围第8项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,其中步骤(d)中之清泄气体系氢气(H2)与矽烷(SiH4)之混合物。13.如申请专利范围第8项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,其中步骤(d)中之清泄气体系不断地被供给,或者先供给一预定量以做清泄,并且被周期性地以预定的量供给于牺牲金属层被形成并为沉积金属层取代之后。14.如申请专利范围第8项之使用选择性金属层形成法来形成半导体装置之电容器的方法,进一步包括在形成沉积金属层之步骤(f)后,将沉积金属层矽化的步骤。15.一种使用选择性金属层形成法填充接触孔的方法,包括的步骤为:(1)形成一绝缘膜于半导体基板上,并藉由将该绝缘膜布局图案化而形成一暴露出较低膜之接触孔;(2)将接触孔形成其上之半导体基板置入腔室中,且将清泄气体供给至腔室中;(3)将一牺牲金属层仅形成于较低膜上,其系藉由将对于绝缘膜与较低膜乃选择性沉积的牺牲金属源气体供给至腔室中而得;(4)藉由供给具有卤素亲和力较牺牲金属层中之金属原子的卤素亲和力为低之金属卤化物气体至腔室,而以一沉积金属层取代该牺牲金属层;以及(5)形成一填充接触孔的导电层。16.如申请专利范围第15项之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法,其中步骤(1)中之绝缘膜为氧化物膜(SiO2)或含有氧化物膜之复合物膜。17.如申请专利范围第15项之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法,其中步骤(1)中之较低膜,系以杂质掺杂并具有氢端自由基之矽或氮化钛(TiN)所形成。18.如申请专利范围第15项之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法,其中步骤(2)中之清泄气体系氢气(H2)与矽烷(SiH4)之混合物。19.如申请专利范围第15项之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法,其中步骤(2)中之清泄气体系不断地被供给,或者先供给一预定量以做清泄,并且被周期性地以预定的量供给于牺牲金属层被形成并为沉积金属层取代之后。20.如申请专利范围第15项之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法,进一步包括在以沉积金属层取代牺牲金属层之步骤(4)之后,将一阻障层形成于沉积金属层上的步骤。图式简单说明:第一图系举例说明根据本发明之一用以形成选择性金属层之方法的流程图;第二图A与第二图B系根据本发明之用以形成一选择性金属层之方法的气体流动图;第三图系举例说明根据本发明之一种使用该选择性金属层形成法而形成电容器之方法的流程图;第四图A至第四图F系举例说明根据本发明之第一个实施例,使用形成选择性金属层之制程而形成电容器之方法的剖面图;第五图A至第五图F系举例说明根据本发明之第二个实施例,使用形成选择性金属层之制程而形成电容器之方法的剖面图;第六图A至第六图C系举例说明根据本发明之第三个实施例,使用形成选择性金属层之制程而形成电容器之方法的剖面图;第七图系图示根据本发明之使用选择性金属层形成法填充接触孔之方法的流程图;以及第八图A至第八图E系举例说明根据本发明之第四个实施例,使用选择性金属层形成法的接触孔填充法之剖面图。 |
