| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具有:具有电极之半导体元件、和避开各个电极的至少一部份而被设在前述半导体元件表面上之纯化膜、和于形成前述纯化膜的面之上方中,在厚度方向隔着所定间隔而设之导电箔、和形成在前述导电箔上之外部电极、和与形成在前述纯化膜和前述导电箔之间同时支持前述导电箔之中间层、和导电连接前述电极与前述导电箔之配线、在前述中间层,于包含与前述导电箔中的前述外部电极的接合部的范围下方,于前述纯化膜和前述导电箔间形成成为开口范围之凹部。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中在前述凹部内填充杨氏模量比前述中间层低的树脂。3.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中前述配线是与形成在形成前述纯化膜的面上一同位于前述中间层凹部的底面、前述树脂为添加导电肥粒铁者,并可导电连接前述配线与前述导电箔。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述中间层在前述电极与前述导电箔之间具有倾斜面、前述配线可通过前述倾斜面而导电连接前述电极与前述导电箔。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述中间层可由具有柔软性的材料形成。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中前述导电箔是在前述凹部开口范围的内侧位置,并避开与前述外部电极的连接部的位置具有孔。7.如申请专利范围第1至第6项任一项之半导体装置,其中形成前述导电箔的基板是在向着前述中间层来设置形成前述导电箔之面、前述基板在前述凹部上方具有贯通孔、透过前述贯通孔在前述导电箔形成前述外部电极。8.如申请专利范围第1至第6项任一项之半导体装置,其中在前述中间层与前述导电箔之间设有以具有柔软性材料形成之基板、前述基板在除了前述凹部上方的范围具有贯通孔、透过贯通孔导电连接前述配线与前述导电箔。9.如申请专利范围第1至第6项任一项之半导体装置,其中前述导电箔与前述配线可形成一体。10.如申请专利范围第1至第6项任一项之半导体装置,其中前述导电箔与前述配线可为另一体。11.一种半导体装置之制造方法,其特征为包含有:具有电极且避开各个电极至少一部份,在表面上准备设有纯化膜的半导体元件之工程、和在形成前述纯化膜的面之上方,在厚度方向隔着所定间隔设置导电箔,在前述纯化膜与前述导电箔之间形成支持前述导电箔之中间层,于前述中间层,在避开前述电极的位置形成洼下凹部之工程、和形成导电连接前述电极与前述导电箔的配线之工程、和在前述导电箔中的前述凹部上方位置形成外部电极之工程。12.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中准备具有贯通孔,且包含前述贯通孔上被贴上前述导电箔之基板、在形成前述纯化膜的面上形成前述中间层,在前述中间层形成前述凹部、之后使前述贯通孔位于前述凹部上方,且使前述导电箔相对于前述凹部,在前述中间层载置前述基板、透过前述贯通孔在前述导电箔形成前述外部电极。13.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中准备以具有柔软性材料形成具有贯通孔之基板、在形成前述纯化膜的面上形成前述中间层,在前述中间层形成前述凹部,且在前述中间层形成前述配线、使前述贯通孔位于前述配线上,并在前述中间层载置前述基板,在前述基板形成前述导电箔,透过前述贯通孔导电连接前述配线与前述导电箔。14.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中在形成前述纯化膜的面上形成前述中间层,在前述中间层形成前述导电箔,在前述导电箔形成孔,透过前述孔蚀刻前述中间层形成前述凹部。15.如申请专利范围第14项之半导体装置之制造方法,其中前述中间层是在不蚀刻前述半导体元件的条件下,以可蚀刻的材料所形成。16.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述纯化膜是在前述中间层的蚀刻条件下被蚀刻的、在前述纯化膜上,在前述中间层的蚀刻条件下,形成以不易被蚀刻的材料制成之包覆层,在前述包覆层形成前述中间层,在前述中间层形前述导电箔,在前述导电箔形成孔,透过前述孔蚀刻前述中间层形成前述凹部亦可。17.如申请专利范围第11项之半导体装置之制造方法,其中前述纯化膜是在前述中间层的蚀刻条件下被蚀刻、在前述纯化膜上,在前述中间层的蚀刻条件下,形成以不易被蚀刻的材料制成之第1包覆层、在前述第1包覆层上形成前述中间层、在前述中间层上形成前述导电箔及配线,同时在前述导体箔形成孔、在前述配线上形成焊锡抗蚀层、在前述焊锡抗蚀层,在前述中间层的,蚀刻条件下,形成以不易被蚀刻的材料制成之第2包覆层、透过前述导电箔的将中间层蚀刻至前述导电箔之下。18.如申请专利范围第14至第17项任一项之半导体装置之制造方法,其中包含在蚀刻前述中间层的工程之前,在前述导电箔形成前述外部电极,且在前述外部电极,在前述中间层的蚀刻条件下,形成以不易被蚀刻的材料制成的电极包覆层之工程。19.如申请专利范围第11至第17项任一项之半导体装置之制造方法,其中包括在前述凹部填充杨氏模量比前述中间层低的树脂之工程。20.一种电路基板,其特征为:实装申请专利范围第1至第6项任一项之半导体装置。21.一种电子机器,其特征为:具有申请专利范围第20项记载的电路基板。图式简单说明:第一图系表示有关第1实施形态之半导体装置之断面图。第二图系表示有关第1实施形态之半导体装置之平面图。第三图A至第三图E系表示有关第1实施形态之半导体装置之制造方法之图。第四图系表示有关第2实施形态之半导体装置之图。第五图系表示有关第3实施形态之半导体装置之图。第六图系表示有关第4实施形态之半导体装置之图。第七图A至第七图D系说明有关第4实施形态之半导体装置之制造方法之图。第八图A至第八图C系说明有关第4实施形态之半导体装置之制造方法之图。第九图A至第九图C系表示有关第5实施形态之半导体装置之制造方法之图。第十图A至第十图C系表示有关第6实施形态之半导体装置之制造方法之图。第十一图A及第十一图B系表示有关第7实施形态之半导体装置之图。第十二图系表示有关第8实施形态之半导体装置之图。第十三图A至第十三图D系表示有关第9实施形态之半导体装置之制造方法之图。第十四图A及第十四图B系表示有关第9实施形态之半导体装置之制造方法之图。第十五图系表示有关第9实施形态变形例之图。第十六图系表示实装有关本实施形态之半导体装置之电路基板之图。第十七图系表示具备有实装有关本实施形态之半导体装置之电路基板之电子机器之图。 |
