| 主权项 |
1.一种非晶型饱和烃热塑性基材,其已藉由激发气相技术处理,如此,至少35dynes/cm之临界表面能量被获得之。2.如申请专利范围第1项之基材,其中该热塑性基材系选自聚环己基乙烯之均聚物或共聚物、环烯烃聚合物及开环复分解聚合物。3.如申请专利范围第1项之基材,其中该热塑性基材系聚环己基乙烯。4.如申请专利范围第1项之基材,其中该热塑性基材系聚环己基乙烯之嵌段共聚物。5.如申请专利范围第1项之基材,其中该热塑性基材系环烯烃聚合物。6.如申请专利范围第1项之基材,其中该热塑性基材系开环复分解之聚合物。7.如申请专利范围第1项之基材,其另包含附着于该基材表面之金属。8.如申请专利范围第7项之基材,其中该金属系选自铝、铬、镍、钛、银、铜及金。9.如申请专利范围第8项之基材,其中该金属系铝。10.如申请专利范围第1项之基材,其另外包含附着于该基材表面之聚合物。11.如申请专利范围第10项之基材,其中该聚合物系选自聚酯、聚碳酸酯、聚二甲基矽氧烷、聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚氨基甲酸酯及其等之混合物。12.如申请专利范围第11项之基材,其中该聚合物聚碳酸酯。13.如申请专利范围第1项之基材,其中该激发气相技术系日晕放电处理。14.如申请专利范围第1项之基材,其中该激发气相处理系电浆处理。15.如申请专利范围第1项之基材,其中该激发气相处理系火焰处理。16.如申请专利范围第1项之基材,其中该激发气相处理系臭氧处理。17.如申请专利范围第1项之基材,其中该激发气相处理系于氩中之电浆处理,且该基材进一步包含附着于该氢化芳族聚合物基材表面之铝层。18.如申请专利范围第1项之基材,其进一步包含附着于该非晶型饱和烃热塑性基材表面上之金属层,其中该金属层亦附着于另外之聚合层,形成非晶型饱和烃热塑性基材/金属/聚合物之层合物。19.如申请专利范围第1项之基材,其进一步被用于制造一种CD-音碟。20.如申请专利范围第1项之基材,其进一步被用于制造一种CD-ROM碟片。21.如申请专利范围第1项之基材,其进一步被用于制造一种DVD碟片。22.如申请专利范围第1项之基材,其进一步被用于制造一种CD-可写入式碟片。 |
