| 主权项 |
1.一种提高崩溃电压的高压元件制造方法,适用于具有一高压元件区与一低压元件区之一基底,至少包括:在该基底形成一第一井区;对该基底进行一全面性高能离子植入,该全面性高能离子植入与该第一井区具有同样的导电性,而在该第一井区底部形成一离子分布;以及在该第一井区中形成一第二井区,该第二井区具有与该第一井区相反之导电性,其中在该高压元件区之该第二井区作为该高压元件之一源/汲极区。2.如申请专利范围第1项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一井区之导电性包括P型,该第二井区之导电性包括N型。3.如申请专利范围第2项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该全面性高能离子植入为P型。4.如申请专利范围第1项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一井区之导电性包括N型,该第二井区之导电性包括P型。5.如申请专利范围第4项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该全面性高能离子植入为N型。6.一种提高崩溃电压的高压元件制造方法,适用于具有一高压元件区与一低压元件区之一基底,至少包括:在该基底形成一第一井区;对该高压元件区之一预定位置进行一高能离子植入,该高能离子植入与该第一井区具有同样的导电性,而在该高压元件区之该预定位置之该第一井区底部形成一离子分布;以及在该第一井区中形成一第二井区,该第二井区具有与该第一井区相反之导电性,在该高压元件区之该第二井区作为该高压元件之一源/汲极区。7.如申请专利范围第6项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一井区之导电性包括p型,该第二井区之导电性包括N型。8.如申请专利范围第7项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该高能离子植入为P型。9.如申请专利范围第6项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一井区之导电性包括N型,该第二井区之导电性包括P型。10.如申请专利范围第9项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该高能离子植入为N型。11.一种提高崩溃电压的高压元件制造方法,至少包括:提供一基底,至少具有一高压元件区与一低压元件区,且在该基底形成具有一第一导电型之一第一井区;对该基底进行该第一导电型之一全面性高能离子植入,而在该第一井区底部形成一离子分布;以及对该基底覆盖一植入罩幕,对该基底进行一第二导电型之一植入,而分别在该高压元件区与该低压元件区之该第一井区中形成一第二井区与一第三井区,其中在该高压元件区之该第二井区作为该高压元件之一源/汲极区。12.如申请专利范围第11项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一导电性包括P型,该第二导电性包括N型。13.如申请专利范围第12项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该全面性高能离子植入为P型。14.如申请专利范围第11项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一导电性包括N型,该第二导电性包括P型。15.如申请专利范围第14项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该全面性高能离子植入为N型。16.一种提高崩溃电压的高压元件制造方法,至少包括:提供一基底,至少具有一高压元件区与一低压元件区,且在该基底形成具有一第一导电型之一第一井区;对该基底覆盖一第一植入罩幕,暴露出该高压元件区之一预定位置,而在该高压元件区之该预定位置进行该第一导电型之一高能离子植入;去除该第一植入罩幕;对该基底覆盖一第二植入罩幕,对该基底进行一第二导电型之一离子植入,在该高压元件之该预定位置的侧边形成一第二井区,在该低压元件区形成一第三井区。17.如申请专利范围第16项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该高压元件之该第二井区系作为该高压元件之一源/汲极区。18.如申请专利范围第16项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一导电型包括P型,该第二导电型包括N型。19.如申请专利范围第18项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该高能离子植入为P型。20.如申请专利范围第16项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该第一导电型包括N型,该第二导电型包括P型。21.如申请专利范围第20项所述之提高崩溃电压的高压元件制造方法,其中该高能离子植入为N型。图式简单说明:第一图系显示一种习知高压元件之剖面图;第二图A-第二图C系显示根据本发明第一较佳实施例高压元件之制造流程剖面图;以及第三图A-第三图C系显示根据本发明第二较佳实施例高压元件之制造流程剖面图。 |
