| 主权项 |
1.一种隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括:在一基底上形成一定义之硬材料层;以该硬材料层为罩幕,在该基底形成一沟渠;在该沟渠表面形成一衬氧化物层;在该沟渠中形成一复晶矽层,该复晶矽层填满该沟渠;在该复晶矽层上形成一氧化物层,覆盖住该复晶矽层;以及去除该硬材料层,暴露出该基底。2.如申请专利范围第1项所述之隔离结构之制造方法,其中该硬材料层包括一氮化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之隔离结构之制造方法,其中该沟渠包括以非等向性蚀刻法进行。4.如申请专利范围第1项所述之隔离结构之制造方法,其中该衬氧化物层包括以热氧化法进行。5.如申请专利范围第1项所述之隔离结构之制造方法,其中在形成该复晶矽层后,更包括回蚀刻该复晶矽层的步骤。6.如申请专利范围第1项所述结之隔离结构之制造方法,其中在该复晶矽层上形成该氧化物层的步骤包括以热氧化法进行。7.一种结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括:在一基底上形成一定义之第一硬材料层;在该第一硬材料层上形成一第一衬氧化物层;在该定义之第一硬材料层侧边形成一硬材料间隙壁,暴露出部分该基底;在暴露出的该基底上形成一第一场氧化层;去除该硬材料间隙壁;以该第一硬材料层与该第一场氧化层为罩幕,去除部分该第一衬氧化层与部分该基底,以在该基底形成一沟渠;在该沟渠表面形成一第二衬氧化物层;在该沟渠中形成一复晶矽层,该复晶矽层填满该沟渠,暴露出该第一场氧化层;在该复晶矽层上形成一第二场氧化层,覆盖该复晶矽层;以及去除该第一硬材料层,暴露出部分该基底。8.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该第一硬材料层包括一氮化矽层。9.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该第一场氧化层包括以热氧化法形成。10.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中回蚀刻该复晶矽层包括以非等向性蚀刻法进行。11.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该第二场氧化层包括以热氧化法进行。12.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该第一衬氧化物层包括以化学气相沉积法形成。13.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中在该定义之硬材料层侧边形成该硬材料间隙壁的步骤更包括在该基底上形成一第二硬材料层;以及以该第二衬氧化物层为蚀刻终点,回蚀刻该第二硬材料层,以在该第一硬材料层侧边形成该硬材料间隙壁。14.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中去除该硬材料间隙壁包括以湿蚀刻法进行。15.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该沟渠包括以非等向性蚀刻法进行。16.如申请专利范围第7项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中该第二衬氧化物层包括以热氧化法形成。17.一种结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,该制造方法至少包括:在一基底上形成一定义之硬材料层;在该硬材料层上形成一第一衬氧化物层;在该硬材料层侧边形成一硬材料间隙壁;对该基底进行一第一热氧化制程;去除该硬材料间隙壁;去除该第一衬氧化层与部分该该基底,以形成一沟渠;在该沟渠表面形成一第二衬氧化物层;在该沟渠中形成一复晶矽层,该复晶矽层具有一表面,该表面至少与该基底表面同高;对该基底进行一第二热氧化制程;以及去除该第一硬材料层。18.如申请专利范围第17项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中进行该第二热氧化制程,则在该复晶矽层上形成一氧化物层覆盖住该复晶矽层。19.如申请专利范围第17项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中在该沟渠中形成一复晶矽层,更包括回蚀刻该复晶矽层,使该复晶矽层之一表面至少与该基底表面同高的步骤。20.如申请专利范围第17项所述结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造方法,其中对该基底进行一第一热氧化制程包括在该基底形成一场氧化物层。21.一种隔离结构,至少包括:一基底;一复晶矽沟渠隔离,位于该基底中;以及一绝缘层,包围该复晶矽沟渠隔离,用以隔离该基底与该复晶矽沟渠隔离。22.如申请专利范围第21项所述之隔离结构,其中该绝缘层包括衬氧化物层。23.一种隔离结构,至少包括:一基底;一场氧化层,位于部分该基底表面;一复晶矽隔离结构,位于该基底中,配置于该场氧化层周缘;以及一绝缘层,包围该复晶矽沟渠隔离,用以隔离该基底与该复晶矽沟渠隔离。24.如申请专利范围第23项所述之隔离结构,其中该绝缘层包括衬氧化物层。图式简单说明:第一图系显示一种习知以局部氧化法形成之场氧化层隔离结构剖面图;第二图A至第二图G一种习知浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图;以及第三图A至第三图H系显示根据本发明较佳实施例结合区域氧化法与浅沟渠隔离法之隔离结构之制造流程剖面图。 |
