| 主权项 |
1.一种矽化钴的制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底;形成一钛层覆盖该矽基底;形成一矽层覆盖该钛层;形成一钴层覆盖该矽层;以及以一热处理制程,使该钴层形成一矽化钴层。2.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中形成该钛层的步骤之前,更包括以缓冲氧化蚀刻剂浸泡该矽基底,用以洁净该矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中形成该钛层的方法,包括溅镀法。4.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中形成该矽层的方法,包括化学气相沈积法。5.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中形成该钴层的方法,包括溅镀法。6.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中该热处理制程,包括快速加热制程。7.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中在该热处理制程中,更包括使该钛层形成一非结晶相层。8.如申请专利范围第7项所述之矽化钴的制造方法,其中该非结晶相层包括钴-矽-钛链结结构。9.如申请专利范围第1项所述之矽化钴的制造方法,其中该矽层包括非结晶矽。图式简单说明:第一图A-第一图B系绘示习知矽化钴的制造流程剖面图;第二图A-第二图B系绘示习知矽化钴的制造流程剖面图;以及第三图A-第三图B系绘示依照本发明之一较佳实施例的一种矽化钴的制造流程剖面图。 |
