| 主权项 |
1.一种可定址资料元件之定址结构,包含一基底具 一通道装有离子化气体介质,资料元件贮 存资料讯号,及阴极及阳极各一段置于通道内,其 中阴极与阳极电极间足够大电位差使离子 化气体介质由非离子化状态转变成导电电浆状态, 于资料与电基准间提供可中断之电气连接 以选择地定址资料元件,阴极包含: 一导电耐氧化线性部,沿通道长度实质延伸;及 一覆层,包含第一颗粒由至少一导电耐火化合物构 成,耐性化合物沿阴极长度延伸并盖住阴 极,并具外表面散布有非导电陶瓷化合物之点。2. 如申请专利范围第1项之结构,其中在该阴极中由 随机沈积于第一颗粒覆层上非导电陶瓷 化合物之多数第二颗粒形成非导电陶瓷。3.如申 请专利范围第1项之结构,其中在该阴极中各第一 颗粒包含耐火导电化合物基体散布 非导电陶瓷化合物。4.如申请专利范围第1项之结 构,其中在该阴极中陶瓷化合物选自MgO,SiO2,及Al2O3 所构 成之群。5.如申请专利范围第1项之结构,其中在该 阴极中第一颗粒已电冰沈积。6.如申请专利范围 第1项之结构,其中在该阴极中第一颗粒于一丝网 程序中沈积。7.如申请专利范围第1项之结构,其中 在该阴极中以融合玻璃支持第一颗粒定位。8.如 申请专利范围第1项之结构,其中在该阴极中融合 粒为玻璃。9.如申请专利范围第1项之结构,其中在 该阴极中耐火化合物选自稀土族六硼化合,Cr3Si及 钻石所构成之群。10.一种减少用于定址资料元件 之定址结构操作中溅射损伤之方法,定址结构包含 一基底具 一通道装有离子化气体介质,贮存资料讯号之资料 元件,可透气体介质之介电障,接触气体 介质之电基准,及一阴极及阳极电极,各具一段而 置于通道内,其中阴极与阳极间足够大电 位差使离子化气体介质由非离子状态转变成导电 电浆状态,提供资料元件与电基准间可中断 电气连接,以选择地定址资料元件,方法包含步骤; 提供覆层于阴极电极上,覆层包含耐火导电化合物 散布有非导电陶瓷化合物,藉以提高阴极 成次电子发射源之效率;及 经由施加阴极与阳极电极间降低电位差改变气体 介质成导电电浆,非瞬间电位差小于200伏 特。11.如申请专利范围第10项之方法,其中覆层合 铬。12.如申请专利范围第10项之方法,其中耐火材 料选自稀土族六硼化合物,Cr3Si及钻石所构 成之群。13.如申请专利范围第10项方法,其中非导 电陶瓷化合物选自MgO,SiO2及Al2O3所构成之群 。14.如申请专利范围第10项之方法,其中于电冰沈 积时玻璃颗粒亦共沈积。15.如申请专利范围第10 项之方法,另包含空气烘焙步骤约一小时。16.如申 请专利范围第10项之方法,其中以电泳沈积颗粒而 形成覆层,各颗粒具耐火化合物 基体散布有非导电性陶瓷化合物。17.如申请专利 范围第10项之方法,其中以耐火化合物颗粒电冰沈 积而成覆层,接着为非导 电陶瓷化合物之颗粒电冰沈积。18.如申请专利范 围第10项之方法,其中以丝网程序沈积覆层。图式 简单说明: 第一图为习知显示器面板之显示面正视图及其中 可使用本发明之电浆定址结构之相关驱 动电路。 第二图为放大部分等距图,显示形成习知显示器面 板之结构组件层,由第一图左侧观察 。 第三图放大部分前视图,拆开部分以显示第二图习 知显示器面板内部不同深度之视图。 第四图A为电浆定址结构之放大截面图,显示习知 阴极电极之截面(放大尺寸以利说明) 。 第四图B为另一习知通道于电浆定址结构中具阴极 及阳极电极之放大截面图(放大尺寸以 利说明)。 第五图为第四图A习知阳极表面之放大截面图,有 一正离子朝向其传送。 第六图为第四图A习知阴极表面与正离子碰撞后之 放大截面图。 第七图为PALC显示器中一通道之扩大截面图,根据 本发明第一较佳实施例经历电泳过程 之第一阶段,具有耐火化合物及玻璃颗粒(放大尺 寸以利说明)。 第八图为第七图通道及颗粒完全电泳后扩大截面 图。 第九图为第七图通道及颗粒经一小时空气烘焙后 颗粒融解后扩大截面图。 第十图为PALC显示器中一通道根据本发明第二较佳 例之电泳过程第2阶段之放大截面图 ,具有耐火放大物,陶瓷放大物及玻璃颗粒(放大尺 寸以利说明)。 第十一图为第七图通道及颗粒完成电泳及一小时 烘焙后扩大截面图。 |
