| 主权项 |
1.一种用于校正与放射率无关之温度量测之方法, 其温度量测具至少一第一辐射侦测器(6) ,用以量测从至少一基板(2)放出之热辐射,其特征 为,下列方法步骤: a.将装有一至少具习知之熔点温度之参考材料(17) 之参考基板(10)加热至及/或超过此熔点 温度; b.在加热及/或加热后之冷却时,量测参考基板(10) 之热辐射;及 c.在量测过程出现之量测値高原与习知之熔点温 度建立关系。2.根据申请专利范围第1项所述之方 法,其特征为,使用至少一辐射源(4.5)用于加热参考 基板(10)。3.根据申请专利范围第1项所述之方法, 其特征为,温度量测与放射率无关。4.根据申请专 利范围第2项所述之方法,其特征为,从至少一辐射 源(5)放射出之辐射,以至 少一第二辐射侦测器(7)加以量得,从至少一辐射源 (5)放射出之辐射,以至少一特征参数加 以调制,且被第一辐射侦测器(6)量出之辐射,为补 偿从参考基板反射之辐射源(5)之辐射, 被一由第二辐射侦测器(7)量得之辐射加以修正。5 .根据申请专利范围第4项所述之方法,其特征为,将 从辐射源(5)放出之辐射进行调制之特 征,在修正从第一辐射侦测器(6)量得之辐射时被加 以考虑。6.根据申请专利范围第4项所述之方法,其 特征为,从辐射源(5)放射出之辐射被加以振幅、 频率及或相位调制。7.根据申请专利范围第4项所 述之方法,其特征为,辐射源(5)系由多个灯组成,且 至少一灯 之辐射被调制。8.根据申请专利范围第4项所述之 方法,其特征为,辐射之调制等级或调制深度系被 控制。9.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特 征为,量测从参考基板(10)放出之热辐射系参 考基板(10)面向空腔辐射器之侧进行。10.根据申请 专利范围第1项所述之方法,其特征为,多个具不同 熔点温度之参考材料(17)系 置于参考基板(10)上,且在加热及/或冷却时量得之 量测値高原与各习知之熔点温度建立关 系。11.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特 征为,用以校正一热处理基板装置,参考基板 被置于此装置内。12.一种用于校正与放射率无关 之温度量测之装置,其系具至少一第一辐射侦测器 (6),用以 量测从至少一基板(2)放射出之热辐射,其特征为, 其至少一习知之熔点温度之参考材料 (17),其系置于参考基板(10);至少一辐射源(4.5),用以 加热参考基板(10);至少一第二 辐射侦测器(7),用以量测从至少一辐射源(5)放出之 辐射;一调制装置,系用以至少一特征 参数调制从至少一辐射源(5)放出之辐射;及一装置 ,藉以从第二辐射侦测器(7)量得之辐射 修正从第一辐射侦测器(6)量得之辐射。13.根据申 请专利范围第12项所述之装置,其特征为,辐射源(4. 5)系由多个灯组成,且至 少一灯之辐射系可调制。14.根据申请专利范围第 13项所述之装置,其特征为,从辐射源(4.5)放出辐射 之调制等级 或调制深度系可控制的。15.根据申请专利范围第 12项所述之装置,其特征为,一空腔辐射器,其至少 一部分系由基 板组成。16.根据申请专利范围第15项所述之装置, 其特征为,此空腔辐射器系由一反射室组成,此 室至少一壁面范围系由基板组成。17.根据申请专 利范围第15项所述之装置,其特征为,此空腔辐射器 系在基板与平行设置板 间之中间空间组成。18.根据申请专利范围第12项 所述之装置,其特征为,在参考基板100上有一在参 考材料(17) 上之盖(20)。19.根据申请专利范围第18项所述之装 置,其特征为,在盖(20)及参考基板(10)间定义之空 间(23)。20.根据申请专利范围第19项所述之装置,其 特征为,空间(23)与环境密封隔离。21.根据申请专 利范围第19项所述之装置,其特征为,空间(23)被抽 成真空。22.根据申请专利范围第12项所述之装置, 其特征为,参考基板(10)被玻璃封住。23.根据申请 专利范围第12项所述之装置,其特征为,参考基板(10 )至少有一凹穴(15),用 以装置至少一参考材料(17)。24.根据申请专利范围 第23项所述之装置,其特征为,凹穴(15)之壁面系倾 斜的。25.根据申请专利范围第12项所述之装置,其 特征为,参考基板(10)与在校正后加以量测温 度之基板(2)有相同之大小及/或形状及/或相同重 量。26.根据申请专利范围第12项所述之装置,其特 征为,至少有一参考材料(17)系金属,尤其 系高纯度之金属。27.根据申请专利范围第12项所 述之装置,其特征为,在参考基板(10)上设有具不同 熔点温 度之不同参考材料(17)。28.根据申请专利范围第12 项所述之装置,其特征为,在参考基板上(10)不同位 置至少设置 一参考材料(17)。29.根据申请专利范围第12项所述 之装置,其特征为,在与第一辐射侦测器(6)相背面 之参考 基板(10)上装置至少一参考材料(17)。30.根据申请 专利范围第12项所述之装置,其特征为,参考基板(10 )面向第一辐射侦测器(6) 之侧具有结构图案,尤其系微凹槽结构。31.根据申 请专利范围第12项所述之装置,其特征为,多个参考 基板(10),其各具不同之光 学薄层。32.根据申请专利范围第12项所述之装置, 其特征为,参考基板(10)系由陶瓷材料制成。33.根 据申请专利范围第12项所述之装置,其特征为,此装 置适用于在炉中快速热处理基板 装置之校正。34.一种用于温度校正之参考基板,其 具至少一习知之熔点温度之参考材料,被设置在参 考 基板内部,其中参考材料至少为参考基板质量之1% 。35.根据申请专利范围第34项所述之参考基板,其 特征为,参考材料系由厚度至少为采用波 长之光学衰减长度三倍之基板材料包围。36.根据 申请专利范围第35项所述之参考基板,其特征为,厚 度至少系3微米。37.根据申请专利范围第34项所述 之参考基板,其特征为,整个基板单位面积之热质 量为常 数。图式简单说明: 第一图用于处理半导体晶圆快速加热设备之纵向 剖面示意图, 第二图第一图中延剖面线Ⅱ-Ⅱ之横向截面图, 第三图依本发明之参考基板上视图,为清晰之故, 盖未示出, 第四图依本发明具盖之参考基板正视图, 第五图参考基板之部分截面放大图, 第六图依技术现状之参考基板温度-时间曲线, 第七图根据发明参考基板之温度-时间曲线, 第八图装有热元件之参考基板。 |
