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1.一种回收及再循环含氘气体之方法,其包括步骤: (a)导引含氘输入气体进入气室; (b)将含氘排放气体自该气室移除; (c)调整该排放气体之氘浓度至预定値,因此制造浓 度调整气流;而且 (d)导引该浓度调整气流进入该气室当作含氘输入 气体。2.如申请专利范图第1项所述之方法,其中该 含氘输入气体包括100%体积之氘气浓度。3.如申请 专利范围第2项所述之方法,其中该含氘输入气体 系气体混合物。4.如申请专利范围第3项所述之方 法,其中该气体混合物包括氘气及包括由一群氮、 氩、氪 、氙、氦、二氧化碳、氧化亚氮及一氧化氮组成 气体所选出之气体。5.如申请专利范围第1项至第4 项之任一项所述方法,进一步包括纯化该浓度调整 气流。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该 纯化器包括由泡沸石、金属氧化物、金属氧化 混合物或支承钯所选出之纯化材料。7.如申请专 利范图第1项至第4项之任一项所述方法,其中介于 步骤(b)及(c)间,该排放气体 被储存在缓冲容器。8.如申请专利范围第7项所述 之方法,其中该排放气体藉由帮浦被输送至缓冲容 器。9.如申请专利范围第1项至第4项之任一项所述 方法,其中介于步骤(c)及(d)间,该浓度调整 气体流系储存在缓冲容器以2至200大气压之压力下 。10.如申请专利范围第1项至第4项之任一项所述 方法,纯等量氘之流率较佳地系从10至 10,000sccm。11.如申请专利范围第1项至第4项之任一 项所述方法,其中在输入气体中氘之同位素浓缩具 有从75至100%体积之値。12.如申请专利范围第1项至 第4项之任一项所述方法,其中步骤(c)该氘气浓度 系连续地被监 视及调整。13.如申请专利范围第1项至第4项之任 一项所述方法,其中该气室系半导体加工室。14.如 申请专利范围第13项所述方法,进一步包括在该气 室中退火一半导体晶圆。15.如申请专利范围第14 项所述方法,其中该退火步骤以350至450℃之温度范 围被执行。16.一种回收及再循环含氘气体之系统, 其包括: (a)用于导引含氘输入气体进入气室之气体导引管 线; (b)用于将排出气体自该气室移除之排放管线; (c)用于增加含氘混合气体至该排放气体之补充气 体管线;而且(d)用于调整该排放气体之氘 浓度至预期値以制造浓度调整当作含氘输入气体 之设备。17.如申请专利范图第16项所述系统,其中 进一步包括纯化器被放置该气室之上游。18.如申 请专利范围第17项所述系统,其中该纯化器包括纯 化材料由泡沸石、金属氧化物、 金属氧化混合物或支承钯所选出。19.如申请专利 范围第16项至第18项之任一项所述系统,进一步包 括该混合气体管线上游之 缓冲容器,该缓冲容器系连接以接收该排放气体而 且重新导入该排放气体进入气体管线。20.如申请 专利范围第19项所述系统,进一步包括一帮浦用于 输送该排放气体至缓冲容器。21.如申请专利范图 第16项至第18项之任一项所述系统,进一步包括该 气室上游之缓冲容器 ,该缓冲容器系连接以接收该浓度调整气体而且重 新导入该浓度调整气体进入气室当作输入 气体。22.如申请专利范围第16项至第18项之任一项 所述系统,其中该气室系半导体加工室。23.如申请 专利范围第22项所述系统,其中该半导体加工室系 用于执行退火过程之扩散炉。图式简单说明: 第一图系显示本发明用于回收及再循环含氘气体 之典型系统;而且 第二图系显示本发明特征之氘分析仪组态。 |
