METHOD FOR FORMING HIGHLY RELIABLE VIAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE,申请号KR19980034034-传众专利搜索

发明名称	METHOD FOR FORMING HIGHLY RELIABLE VIAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号	KR100264818(B1)	申请公布日期	2000.09.01
申请号	KR19980034034	申请日期	1998.08.21
申请人	SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.	发明人	LEE, JANG-EUN;PARK, HEUNG-SOO;CHUNG, JU-HYUK;SEO, TAE-WOOK
分类号	H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/768	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
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