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发明名称 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING TITANIUM SILICIDE FILM
摘要
申请公布号 KR100264029(B1) 申请公布日期 2000.09.01
申请号 KR19980003695 申请日期 1998.02.09
申请人 NEC, CORPORATION 发明人 URABE, KOJI
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L23/52;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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