| 发明名称 |
HALBLEITERELEMENT MIT ERSTEN UND ZWEITEN, DURCH EIN MATERIAL NIEDRIGER DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTE GETRENNTEN METALLISIERUNGSLAGEN UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN DES ELEMENTS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69514686(T2) |
申请公布日期 |
2000.08.31 |
| 申请号 |
DE1995614686T |
申请日期 |
1995.11.22 |
| 申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
CHEUNG, W.;CHANG, S. |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/027;H01L21/768;H01L23/532;(IPC1-7):H01L23/532 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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