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<p>DRAM-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung. Die erste (Bottom-)Elektrode (4) des Kondensators hat eine gekörnte Elektrodenoberfläche (41) aus Wolframsilizid auf Wolframsilizid als zumindest oberflächennahen Bereich des Elektrodenkörpers (132). Die Körnung der Wolframsilizid-Schicht (41) wird durch Tempern einer temporär vorhandenen Doppelschicht, bestehend aus einer unterstöchiometrischen Wolframsilizidschicht (33) und einer Siliziumschicht (34) gebildet. Diese Doppelschicht ist auf einem Formkörper (132) aufgebracht, der zumindest im oberflächennahen Bereich aus (WSix, x = 2 bis 2,5) besteht.</p> |
