METHOD FOR OPERATING A MEMORY CELL ARRAY WITH SELF-AMPLIFYING DYNAMIC MEMORY CELLS

摘要

Jede Speicherzelle umfasst mindestens einen Speichertransistor (S). Zum Schreiben einer ersten Information bzw. einer zweiten Information auf die Speicherzelle wird eine Gateelektrode des Speichertransistors (S) so aufgeladen, dass an ihr eine erste Spannung bzw. eine zweite Spannung anliegt. Jeweils zum Auslesen der ersten Information und zum Auslesen der zweiten Information wird an ein zweites Source/Drain-Gebiet des Speichertransistors (S) eine Auslesespannung angelegt. Die erste Spannung liegt zwischen der zweiten Spannung und der Auslesespannung. Die Auslesespannung liegt zwischen der ersten Spannung abzüglich einer Schwellspannung (VT) des Speichertransistors (S) und der zweiten Spannung abzüglich der Schwellspannung (VT) des Speichertransistors.